適合高密度應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體需要采用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)，這些技術(shù)支持更高的工作電壓，并且能夠在更寬的溫度范圍內(nèi)保持高可靠性。封裝還必須符合爬電距離和電氣間隙的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。本白皮書(shū)將介紹一種采用新型工業(yè)封裝設(shè)計(jì)的創(chuàng)新的通信和絕緣技術(shù)。此外，還提出一種在系統(tǒng)短路期間提供完善的過(guò)壓保護(hù)的方法。
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近期，碳化硅功率半導(dǎo)體越來(lái)越受歡迎，這正是電動(dòng)汽車和可再生能源等重要新市場(chǎng)發(fā)展迅速但面臨挑戰(zhàn)的局面所導(dǎo)致的。當(dāng)然，現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體應(yīng)用也變得更加苛刻。碳化硅的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于其高介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)相較于具有相同耐壓的硅IGBT模塊，它可以生產(chǎn)出具有明顯更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損耗的功率模塊。為了在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)揮全SiC功率模塊的所有優(yōu)勢(shì)，門(mén)極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)比以往任何時(shí)候都更具挑戰(zhàn)性，需要解決三個(gè)主要問(wèn)題。
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