全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電... （來源：新品頻道）
ROHMSiC MOSFET 2025-10-16 17:02
羅克韋爾提供IT與OT全集成解決方案，助力客戶實現新型儲能系統的快速投產及持續改善 挑戰 • 市場競爭激烈，產品供不應求，尋求實現新建產能的快速投產 • 追求生產的高效率、高質量及持續改善，實現OEE顯著提升 • 為拓展上下游產業生態和商業機遇提供支持 &... （來源：技術文章頻道）
羅克韋爾自動化儲能 2025-10-16 12:34
近日，國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺（簡稱"國創中心"）在氮化鎵/碳化硅集成領域取得重大技術突破，成功研制出商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延。這一突破性成果標志著我國在第三代半導體材料領域取得重要進展，為相關產業鏈上市公司帶來新的... （來源：新聞頻道）
第三代半導體氮化稼碳化硅 2025-10-16 11:02
作者：安森美 儲能系統（ESS）能將來自不同發電方式（煤炭、核能、風能、太陽能等）的能量，以多種形式儲存起來，例如電化學儲能、機械儲能等。電池儲能系統（BESS，Battery Energy Storage System）在住宅和商業場景中均有廣泛應用，是比較熱門的一個研究領域。 在住宅場景... （來源：技術文章頻道）
高電壓儲能電源 2025-10-15 14:43
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能... （來源：新聞頻道）
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）與納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）共同設立的“數字能源聯合實驗室”在合肥正式揭牌。該實驗室將GD32 MCU領域的深厚積累，與納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術的GeneSiC碳化硅領域的產... （來源：新聞頻道）
兆易創新納微半導體能源電源管理 2025-10-13 14:11
10 月 13 日，2025 年世界工程組織聯合會全體大會暨全球工程大會在上海世博中心開幕。開幕式上，由中國工程院院刊《Engineering》評選的“2025 全球十大工程成就”正式發布，DeepSeek 開源大語言模型、人形機器人、南水北調中線工程等入選。 附“2025 全球十大工程成就”如... （來源：新聞頻道）
DeepSeek人形機器人 2025-10-13 11:52
在追求高效率、高功率密度和高可靠性的現代電力電子世界中，碳化硅技術正以前所未有的速度取代傳統硅基器件。魯光電子推出的LGE3D30120H，便是一款采用標準TO-247AC封裝的碳化硅肖特基二極管，它以其卓越的性能，成為中大功率應用領域升級換代的理想選擇。 一、LGE3D30120H主要參數 核心... （來源：新品頻道）
魯光LGE3D30120H碳化硅二極管 2025-10-13 11:32
在電子工業中，高純度氯化氫（HCl）氣體廣泛應用于半導體制造、光伏材料加工及微電子器件生產的蝕刻和清洗工藝。由于其化學活性強且對雜質極為敏感，氯化氫氣體中的微量水分、金屬離子或其他有機物都可能對生產設備及最終產品性能造成嚴重影響。因此，實時監測和檢測氯化氫氣體的濃度及其環境泄漏至關重... （來源：技術文章頻道）
氯化氫傳感器電子工業 2025-10-11 09:02
在全球半導體產業競爭趨于激烈、自主可控成為國家科技重點發展方向的當下，半導體制造被稱為現代工業的“金字塔尖”，控制系統被視為半導體制造的“神經中樞”，其重要性不亞于任何核心器件。面對外部限制與供應鏈不確定性上升，自主可控不再是技術選項，而是產業生存的必答題。20... （來源：新品頻道）
東土科技控制器 2025-9-28 09:13
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