戰術通信技術已經走了很長一段路,從在現場鋪設電纜到在傳達命令時保持態勢感知。在這個以網絡為中心的沖突時代,IT基礎設施已經一路走到戰場邊緣的移動指揮所。軍事現代化繼續無情地進行。軍費開支的增加正在推動陸地、空中和海上平臺采購先進的無線通信系統。全球戰術通信市場將在16-2019年期間以202... (來源:技術文章頻道)
無線電氮化鎵 2023-6-5 10:55
氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀 90 年代亮相,目前廣泛應用于商業和國防領域,但工程應用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本文之后,可能會成為忠實支持者。GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應用,包括微波射頻 (RF) 和功率開關應用。GaN 獨特的材料屬性使其成... (來源:技術文章頻道)
GaN 技術 射頻 (RF) 2022-7-22 10:48
幾十年來,硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發出來,提供獨特的優勢和卓越的特性。例如,有了化合物半導體,我們開發出了發光二極管(LED)。一種類型是由砷化鎵(GaAs)和磷砷化鎵(GaAsP)組成。其他的則使用銦和磷。問題是,化合物半導體更難制... (來源:技術文章頻道)
GaN SiC 發光二極管 2022-5-23 09:32
在本章,我們將介紹設計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 以及其他 GaN 應用的一些技術,并描述 GaN 在許多射頻 (RF) 前端中的應用。我們還將探討技術領導者如何在分立式、單芯片微波集成電路 (MMIC) 以及高度集成模塊中使用 GaN 技術,以滿足許多應用領域需求。我們還將說明 GaN 熱建模在應用中的一些重要... (來源:技術文章頻道)
GaN 技術 射頻前端 GaN PA 2022-5-7 10:07
作者:Mike Ziehl與之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)一樣,氮化鎵(GaN)是一項革命性技術,在實現未來的射頻、微波和毫米波系統方面能夠發揮巨大作用。不過,它并不是一劑“靈丹妙藥”,其他技術仍然可以發揮重要作用。當氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管于 2000 年代中期在伊拉克... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵毫米波系統 2022-4-20 13:26
本章將探討如何將氮化鎵 (GaN) 用于現有的和新的軍事、航天和商業應用中。隨著技術進步,GaN 越來越受工程師的青睞。在本章,我們將深入了解 GaN 有望處于領先地位的一些新應用和行業。審視 GaN 在軍事和航天領域的的應用當今的許多航天和國防系統都需要高度可靠、堅固耐用的射頻 (RF) 輸出功率水平達到... (來源:技術文章頻道)
GaN 技術安全通信 2022-3-28 10:48
幾十年來,硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發出來,提供獨特的優勢和卓越的特性。例如,有了化合物半導體,我們開發出了發光二極管(LED)。一種類型是由砷化鎵(GaAs)和磷砷化鎵(GaAsP)組成。其他的則使用銦和磷。問題是,化合物半導體... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵(GaN) 碳化硅(SiC)晶體管 寬禁帶半導體 2022-2-24 10:46
射頻放功率放大器基本概念射頻功率放大器(RF PA)是發射系統中的主要部分,其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中,調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小,需要經過一系列的放大(緩沖級、中間放大級、末級功率放大級)獲得足夠的射頻功率以后,才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功... (來源:技術文章頻道)
射頻功率放大器5G 2021-3-1 14:24
半導體行業從誕生至今,先后經歷了三代材料的變更歷程。第三代半導體材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(禁帶寬度 Eg>2.3eV)的半導體材料。 據了解,我國把大力支持發展第三代半導體產業,寫入“十四五”規劃,計劃在2021-2... (來源:新聞頻道)
第三代半導體5G 2021-2-26 10:11
第三代半導體隨著近幾年的快速發展,在投資熱潮過后,逐漸有相應的產品進入到大眾的生活里面。 簡單來說,第三代半導體是指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、金剛石、氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導體材料。與我們熟悉的傳統第一代、第二代半導體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,第三代半... (來源:新聞頻道)
GaNSiC5G 2020-9-11 12:01