作者：Milan Ivkovic盡管 SiC 技術的性能和潛力毋庸置疑，但一些設計人員最初可能仍然會猶豫不決，無法下定決心使用 SiC 技術來處理新項目。沒人喜歡無端冒險。但與其他任何電子設計項目一樣，我們首先需要充分了解可用解決方案的要求和潛力。之后設計人員便會發(fā)現，通過 SiC 實現的設計自由能夠降低所... （來源：技術文章頻道）
SiC 技術 電動汽車 逆變器 2022-4-28 10:35
致力于建立更智能、更互聯(lián)世界的領先芯片、軟件和解決方案供應商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ: SLAB）今日宣布其隔離柵極驅動器產品系列增加新成員Si828x版本2。這一更新使該產品系列能夠實現高效的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）柵極驅動，從而滿足不斷發(fā)展的半橋和全橋逆變器及電源市場... （來源：新品頻道）
Silicon LabsSi828x柵極驅動器 2021-5-18 10:23
霍尼韋爾宣布，其先進的電子材料被應用于平板電腦和智能手機中，以幫助設備降低運行溫度并實現更佳性能表現。 業(yè)內領先的移動電子產品制造商采用霍尼韋爾導熱界面材料（TIM）以管理設備散熱。隨著芯片功能日益強大，設備內部的溫度不斷提高，若處理不當，過高的溫度可導致性能問題，甚至造成設備無法正... （來源：新品頻道）
霍尼韋爾平板電腦智能手機降低運行溫度 2014-9-26 10:36
IR宣布推出汽車級COOLiRFET ® MOSFET系列，為重載應用提供基準導通電阻 (Rds(on))，這些應用包括電動助力轉向系統(tǒng) (EPS)、剎車系統(tǒng)以及其他用于內燃機 (ICE) 和微混合動力車輛平臺的重載應用。 這22 款符合AEC-Q101標準的40V N溝道MOSFET的特色，是采用了IR經過驗證的Gen12.7溝道技術。這一技術... （來源：新品頻道）
IRCOOLiRFETMOSFET 2013-5-20 15:13
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