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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

• 英飛凌開(kāi)始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品 • 這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù) • 200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì) 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX ...
英飛凌碳化硅(SiC)SiC功率技術(shù) 2025-02-18

芯合半導(dǎo)體參與制定的《SiC MOSFET 閾值電壓測(cè)試方法》等9項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

由芯合半導(dǎo)體參與制定的《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFETs)閾值電壓測(cè)試方法》等9項(xiàng)SiC MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布。在第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布的這一系列標(biāo)準(zhǔn)，旨在為SiC MOSFET功率器件提供一套科學(xué)、合理的測(cè)試與評(píng)估方法，支撐產(chǎn)...
芯合半導(dǎo)體SiC MOSFET 2024-11-22

意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護(hù)功能

面向空調(diào)、家電和工廠自動(dòng)化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制意法半導(dǎo)體的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采...
意法半導(dǎo)體電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IGBTSiC MOSFET 2024-11-13

車載電驅(qū)＆供電電源用SiC技術(shù)最新發(fā)展趨勢(shì)

新能源汽車近年來(lái)成為備受關(guān)注的行業(yè)。從過(guò)去五年到今天，新能源汽車發(fā)展超出了許多人的預(yù)期，尤其是在中國(guó)。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年中國(guó)新能源汽車銷量達(dá)到了950萬(wàn)輛，占總汽車銷量的31.6%，預(yù)計(jì)2024年銷量將突破1200萬(wàn)輛，市占率將超過(guò)45%。新能源汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)為SiC技術(shù)的應(yīng)用帶來(lái)了巨大的機(jī)遇，在E維...
車載電驅(qū)供電電源SiC技術(shù) 2024-11-08

實(shí)現(xiàn)SiC器件與先進(jìn)電機(jī)、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配，并促使逆變器更加“智能化”和“傻瓜化”

CISSOID與南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院電氣工程系達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，建立聯(lián)合電驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)室，共同開(kāi)展相關(guān)前沿技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)為各行業(yè)提供所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院電氣工程系達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將攜手建立聯(lián)合電驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)室，共同...
SiC器件先進(jìn)電機(jī)電控系統(tǒng)CISSOID 2024-09-23

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議

全球知名半導(dǎo)體廠商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）于近日與中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡(jiǎn)稱“UAES”）簽署了SiC功率元器件的長(zhǎng)期供貨協(xié)議。 UAES副總經(jīng)理郭曉潞（圖右）、ROHM Co., Ltd.&nb...
羅姆聯(lián)合汽車電子SiC功率元器件 2024-09-05

羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動(dòng)汽車品牌“極氪”3種主力車型

應(yīng)用于主機(jī)逆變器，有助于延長(zhǎng)續(xù)航里程，提升性能日前，搭載了羅姆（總部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊成功應(yīng)用于浙江吉利控股集團(tuán)（以下簡(jiǎn)稱“吉利”）的電動(dòng)汽車（以下稱“EV”）品牌“極氪”的“X”、 “009”、 “001”3種車型的主機(jī)逆變器上。自2023財(cái)年起，這款功率模塊經(jīng)由羅...
羅姆吉利集團(tuán)第4代SiC MOSFET裸芯片 2024-08-29

RTP快速退火爐提高SiC晶體生長(zhǎng)質(zhì)量

SiC器件制造過(guò)程主要包括“光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄”等工藝，其中，離子注入工藝是SiC摻雜的重要步驟，以滿足SiC器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。然而離子注入后，碳化硅材料的晶格損傷必須通過(guò)退火工藝進(jìn)行修復(fù)。在SiC材料晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，退火工藝可以使硅原子獲得足夠的能...
晟鼎精密SiC材料碳化硅材料 2024-07-08

泰克攜手芯聚能共推SiC功率模塊，協(xié)同打造新能源車產(chǎn)業(yè)新生態(tài)

在國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略的引領(lǐng)下，節(jié)能減排已成為推動(dòng)各行各業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的核心動(dòng)力。泰克科技與廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司的合作，正是這一戰(zhàn)略下的重要實(shí)踐，雙方致力于推動(dòng)SiC功率模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，共同加速第三代半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用，促進(jìn)了產(chǎn)業(yè)的綠色升級(jí)。第三代半導(dǎo)體技術(shù)...
泰克芯聚能SiC功率模塊新能源車 2024-07-03

恩智浦和采埃孚合作開(kāi)發(fā)基于SiC的牽引逆變器，助力增強(qiáng)電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)

• 恩智浦的高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列集成到采埃孚的下一代800 V SiC電動(dòng)汽車牽引逆變器解決方案中• 此次合作旨在提升電動(dòng)汽車的安全、能效、續(xù)航里程和性能• GD316x產(chǎn)品系列帶有多項(xiàng)功能，可保護(hù)高壓SiC功率開(kāi)關(guān)，并發(fā)揮其優(yōu)勢(shì) 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票...
恩智浦采埃孚SiC牽引逆變器電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng) 2024-06-14

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