隨著可持續發展和碳中和議題在全球范圍內不斷升溫,各大科技企業紛紛加速綠色轉型的步伐。近期羅姆在北京舉辦了媒體交流會,羅姆功率元器件事業部應用戰略室課長水原德健先生詳細分享了其在ESG事業以及功率半導體“Power Eco Family”品牌上的最新布局。此次活動以“Electronics for th... (來源:新聞頻道)
羅姆低碳未來綠色轉型功率半導體 2025-2-8 11:59
業界先進的汽車零部件制造商Valeo Group(以下簡稱“法雷奧”)與全球知名半導體及電子元器件制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)將通過結合雙方在功率電子領域的專業知識和技術優勢,聯合開發面向牽引逆變器的新一代功率模塊。作為雙方合作的第一步,羅姆將為法雷奧的新一代動力總成解決方案提供... (來源:新聞頻道)
法雷奧 羅姆 功率電子 2024-11-28 12:48
通過開發車載功率模塊,助力xEV技術創新長城汽車旗下的無錫芯動半導體科技有限公司(Wuxi XinDong Semiconductor Technology Co., Ltd. ,以下簡稱“芯動半導體”)與全球知名半導體廠商羅姆(ROHM Co., Ltd. ,以下簡稱“羅姆”)簽署了以SiC為核心的車載功率模塊戰略合作伙伴協議。隨著新能... (來源:新聞頻道)
芯動半導體 羅姆 2024-10-11 10:48
全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國際會展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)(展位號:11號館D14)。屆時,將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體,展示其面向工業設備和汽車領域的豐富產... (來源:新聞頻道)
羅姆PCIM Asia碳化硅功率元器件和模塊 2024-8-2 15:28
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索,本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。半導體器件是當今迅速發展的各類電力電子設備不可或缺的組成部分,是促進科技發展、社會進... (來源:技術文章頻道)
三菱電機 功率器件 IGBT 2024-7-29 10:13
小型封裝內置第4代SiC MOSFET,實現業界超高功率密度,助力xEV逆變器實現小型化! 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器,開發出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack™”,共4款產品(750V 2個型號:BSTxxxD08P4A1x4,1,200V ... (來源:新聞頻道)
SiC MOSFETxEV逆變器 2024-6-12 09:59
作者: 付斌SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)作為第三代半導體材料兩大代表,在市場應用中愈發具備自己的特色。許多公司為了布局更全的產線,發揮二者的專長,均采用“Si+SiC+GaN”的策略,打造三代半功率器件“雙料冠軍”。羅姆半導體(ROHM)作為功率器件的領先廠商,產品不僅涵蓋IGBT、SJ-MOSFET、SBD、... (來源:新聞頻道)
GaN 寬禁帶半導體 羅姆 2024-1-26 09:46
三菱電機集團近日(2024年1月23日)宣布即將推出六款用于各種電動汽車(xEV)的新型J3系列功率半導體模塊,這些模塊采用碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SiC-MOSFET) 或 RC-IGBT (Si)*1,具有緊湊的設計和可擴展性,可用于電動汽車 (EV) 和插電式混合動力汽車 (PHEV) 的逆變器。所有六款J... (來源:新品頻道)
三菱電機 SiC 逆變器 2024-1-25 10:06
全新柵極驅動IC支持1200V功率器件,隔離電壓為3.75kVrms 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子 今日宣布,推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆... (來源:新品頻道)
瑞薩電子柵極驅動IC 2023-1-30 16:19
導語全球新一輪科技和產業革命正悄悄來臨,電動化、網聯化、智能化、共享化成為汽車產業的發展潮流和趨勢。在汽車新四化的推動之下,汽車電子電氣架構從原來的分布式逐漸向跨域集中式和車輛集中式不斷演進,汽車電子軟件架構不斷升級,軟件與硬件分層解耦,軟件定義汽車的時代即將到來。汽車智能化跑出... (來源:技術文章頻道)
ADAS 自動駕駛 BD48HW0G-C 2022-9-8 16:23