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↓在全部中搜索到 134 條關(guān)于“MRAM”的信息，用時(shí):0.027 sec.

從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對(duì)現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來(lái)存儲(chǔ)配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對(duì)更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲(chǔ)選項(xiàng)。這種轉(zhuǎn)變的催...
FPGAMRAM閃存 2025-02-25

MCU 測(cè)試芯片嵌入 10．8 Mbit STT－MRAM 存儲(chǔ)器

具有 10.8 Mbit 磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 存儲(chǔ)單元陣列的原型 MCU 測(cè)試芯片（采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工藝制造）聲稱可以實(shí)現(xiàn)超過(guò) 200 MHz 的隨機(jī)讀取訪問(wèn)頻率和 10.4 MB 的寫入吞吐量/s，結(jié)溫為 125°C。瑞薩電子為這種嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩 MRAM (STT-MRAM) 測(cè)試芯片開發(fā)了電路技術(shù)，并于 2 月 20 ...
MCU 測(cè)試芯片MRAM 存儲(chǔ)器 2024-03-01

瑞薩推出集成STT－MRAM的MCU測(cè)試芯片，瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)與邊緣智能

瑞薩電子最近宣布，他們已成功研發(fā)出自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-MRAM）的測(cè)試芯片。這款芯片以其卓越的讀寫性能，有望為性能要求嚴(yán)苛的微控制器（MCU）提供傳統(tǒng)閃存芯片的有力替代品。隨著物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，端點(diǎn)設(shè)備中的MCU必須提供比以往更高的性能，以滿足日益增...
MRAMMCU測(cè)試芯片物聯(lián)網(wǎng) 2024-02-26

恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電推出行業(yè)首創(chuàng)汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

• 恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP • 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸• 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股...
恩智浦臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)嵌入式MRAM 2023-05-22

瑞薩采用動(dòng)態(tài)電荷泵，突破MRAM寫入瓶頸

隨著磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）寫入技術(shù)的新改進(jìn)，瑞薩聲稱將改善物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用的功耗，并進(jìn)一步推動(dòng)MRAM。雖然目前行業(yè)中存在許多內(nèi)存技術(shù)，但MRAM技術(shù)希望擁有獨(dú)特的潛力，報(bào)告估計(jì)這項(xiàng)技術(shù)從現(xiàn)在到2026年將以25%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，到2026年達(dá)到62億美元。MRAM提供非易失性存儲(chǔ)器、低功耗、對(duì)...
MRAM存儲(chǔ)器 2022-01-07

專注于MRAM芯片研發(fā)，亙存科技完成數(shù)千萬(wàn)元Pre-A輪融資

據(jù)媒體昨日?qǐng)?bào)道，專注于 MRAM 及相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)的 Fabless 企業(yè)亙存科技，目前完成了由深圳高新投正軒基金領(lǐng)投，正軒投資、百度風(fēng)投、老股東普華資本及陸石投資跟投的數(shù)千萬(wàn)元 Pre-A 輪融資。本輪融資主要用于芯片優(yōu)化、迭代以及團(tuán)隊(duì)擴(kuò)充。亙存科技成立于 2019 年，總部位于深圳，在上海...
MRAM芯片亙存科技 2021-11-02

半導(dǎo)體巨頭發(fā)起存儲(chǔ)技術(shù)新變革，這次盯上了MRAM

近年來(lái)，在人工智能（AI）、5G等推動(dòng)下，以MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM)、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PRAM），以及可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）為代表的新興存儲(chǔ)技術(shù)逐漸成為市場(chǎng)熱點(diǎn)。這些新技術(shù)吸引各大晶圓廠不斷投入，最具代表性的廠商包括臺(tái)積電、英特爾、三星和格芯（...
MRAM 2020-08-13

MRAM材料的未來(lái)發(fā)展？

被稱為反鐵磁體（antiferromagnets）的準(zhǔn)磁性材料（Quasi-magnetic）因其在計(jì)算機(jī)內(nèi)存中保存比傳統(tǒng)磁體所允許的數(shù)據(jù)更多的潛力而吸引了研究興趣。盡管證明該概念所需的早期工作才剛剛開始，但一系列新研究表明，能夠電氣操縱反鐵磁體中的位并使用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造技術(shù)兼容的組件來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)方面取得了進(jìn)...
MRAM材料 2020-06-01

SSD主控催化劑：STT－MRAM自旋磁阻內(nèi)存升級(jí)GF 12nm工藝

GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究，讀寫速度可以媲美S...
GF 12nm工藝MRAM芯片 2020-03-16

英特爾、三星將目光移向了嵌入式MRAM技術(shù)

上周，在第64屆國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體巨頭展示了嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。首先，我們來(lái)了解一下 MRAM (Magnetic Random Access Memory)，它是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (SRAM) 的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DRAM) 的高集成...
嵌入式MRAM技術(shù)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用 2018-12-12

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