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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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[原創(chuàng)] TI MSP430F5994超低功耗FRAM MCU開(kāi)發(fā)方案

TI公司的MSP430F599x系列是低功耗高性能鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM)微控制器(MCU),具有用于數(shù)字信號(hào)處理的獨(dú)特的低功耗加速器(LEA),能提升ARM Cortex-M0+ MCU的性能40x,工作電壓1.8 V- 3.6 V,主要用在智能電網(wǎng),可穿戴電子,手持健康和健身設(shè)備,工廠自動(dòng)化和控制,建筑物自動(dòng)化.本文介紹了MSP430F599x...
ARM Cortex－M0+ MCU工廠自動(dòng)化智能電網(wǎng)可穿戴電子手持健康和健身設(shè)備 2017-01-03

FRAM

FRAMFRAM即鐵電存儲(chǔ)器。 FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。鐵電效應(yīng)是指在鐵電晶體上施加一定的電場(chǎng)時(shí)，晶體中心原子在電場(chǎng)的作用下運(yùn)動(dòng)，并達(dá)到一種穩(wěn)定狀態(tài)；當(dāng)電場(chǎng)從晶體移走后，中心原子會(huì)保持在原來(lái)的位置。這是由于晶體的中間層是一個(gè)高能階，中心原子在沒(méi)有獲得外部能量時(shí)不能越過(guò)高能階...
2013-03-12

富士通半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的帶9 KB FRAM的新型高頻RFID標(biāo)簽芯片

大容量的內(nèi)存和串口擴(kuò)大了RFID標(biāo)簽的潛在應(yīng)用上海，2012年7月31日 – 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其FerVID 家族推出用于RFID標(biāo)簽的一款新的芯片－MB89R112。該芯片用于高頻RFID標(biāo)簽，帶9 KB的FRAM內(nèi)存。FerVID家族產(chǎn)品使用鐵電存儲(chǔ)器（FRAM），具有寫(xiě)入速度快，高頻可重寫(xiě)，耐輻射，低功耗操...
RFID標(biāo)簽芯片富士通半導(dǎo)體 2012-07-31

--BBS主題帖: Ramtron推出符合+125℃工作要求的串行FRAM器件

Ramtron推出新一款符合+125℃工作范圍要求的串行FRAM器件。這款3V、64Kb的FRAM器件FM25CL64-GA具有高速串行外設(shè)接口 (SPI) — 現(xiàn)符合Grade 1 AEC-Q100 的規(guī)范要求，適用于汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)周邊和乘客舒適性設(shè)備。為了配合這項(xiàng)產(chǎn)品發(fā)布，Ramtron 已將其Grade 1運(yùn)行數(shù)...
2007-06-13

Ramtron推出+125度 FRAM存儲(chǔ)器 FM25C160

Ramtron推出+125度 FRAM存儲(chǔ)器 FM25C160，并符合Grade 1和AEC-Q100規(guī)范要求。該款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM 完全可以工作于從 -40到 +125度的整個(gè)汽車(chē)溫度范圍內(nèi)，這個(gè)寬廣的工作溫度范圍使到 FRAM 的應(yīng)用可超越乘客舒適性應(yīng)用達(dá)到汽車(chē)核心系統(tǒng)應(yīng)用級(jí)別。 FRAM的快速寫(xiě)入和高耐久特性使其成為理想的...
FM25C160存儲(chǔ)器 2007-03-07

--BBS主題帖: Ramtron推出+125度 FRAM存儲(chǔ)器 FM25C160

Ramtron推出+125度 FRAM存儲(chǔ)器 FM25C160，并符合Grade 1和AEC-Q100規(guī)范要求。該款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM 完全可以工作于從 -40到 +125度的整個(gè)汽車(chē)溫度范圍內(nèi)，這個(gè)寬廣的工作溫度范圍使到 FRAM 的應(yīng)用可超越乘客舒適性應(yīng)用達(dá)到汽車(chē)核心系統(tǒng)應(yīng)用級(jí)別。
2007-03-07

--BBS主題帖: Ramtron推出首款內(nèi)嵌FRAM的MCU VRS51L3074

Ramtron發(fā)布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存儲(chǔ)器的8051MCU — VRS51L3074。Ramtron將FRAM加入于其高速靈活的Versa 8051系列產(chǎn)品中，以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)高速及高可靠性的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理系統(tǒng)，而該系統(tǒng)只有嵌入了FRAM的增強(qiáng)型微控制器才能提供。
2006-06-26

FM24CL04:4Kb FRAM延長(zhǎng)電池壽命

10月29日訊，Ramtron 公司推出新的低功耗4Kb鐵電RAM(FRAM)FM24CL04,工作電壓為3V。器件和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行EEPROM兼容，工作電流只有75微安，比EEPROM低13倍。因此極大延長(zhǎng)了手提設(shè)備中的電池壽命。FM24CL04的快速讀和寫(xiě)能也節(jié)省FRAM用戶的裝配時(shí)間和成本。該器件能在2.7-3.3V下工作，在0.5ms內(nèi)編程，而EE...
存儲(chǔ)器 2002-11-20

FRAM：成本功耗更低64M位存儲(chǔ)器

11月7日訊，TI公司采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯工藝生產(chǎn)出64M位鐵電RAM(FRAM)芯片，能代替各種應(yīng)用的嵌入式閃存和嵌入式DRAM。同一芯片上有嵌入式存儲(chǔ)器和處理器，外設(shè)和其它元件將會(huì)降低元件數(shù)量和系統(tǒng)復(fù)雜性，增加系統(tǒng)性能和數(shù)據(jù)安全。TI公司認(rèn)為，F(xiàn)RAM比其它的嵌入式存儲(chǔ)器的制造成本低，功耗也低。TI公司所生...
存儲(chǔ)器 2002-11-19

Ramtron公司低功耗FRAM產(chǎn)品

一月31日，F(xiàn)M25CL64成為Ramtron國(guó)際公司(Ramtron International) 3V串并接口(SPI)鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM)系列產(chǎn)品的新成員。 FM25CL64是64K位串行FRAM，它是高性能SPI存儲(chǔ)器，工作在20MHz，能夠無(wú)延遲地寫(xiě)入和無(wú)限次讀/寫(xiě)。據(jù)報(bào)道，這種產(chǎn)品提供3V等待功能，其工作時(shí)的功耗和標(biāo)準(zhǔn)的EEPROM的功耗差不多...
2002-02-21

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