有直流參數,包括開啟電壓、夾斷電壓、飽和漏極電流、輸入電阻;交流參數,即低頻跨導;極限參數,包括反向擊穿電壓和漏極功耗。1.開啟電壓UrUr是增強型MOS管的主要參數,當柵源電壓UGs小于開啟電壓的時,場效應管不能導通。如3C03型P溝道增強型MOS管的開啟電壓為—2~—4V,3D06A型N溝道增強型MOS管的... (來源:技術文章頻道)
絕緣柵型場效應管 2024-8-6 10:35
• 創新實驗室V2.0設備再更新、能力再升級;• 助力產業升級,主打開放性,先進性,本地化協作共贏;• 線上線下多元化互動,直擊測試痛點。泰克先進半導體開放實驗室,作為北京先進半導體測試領域的領軍者,今日宣布其實驗室經過全面升級后,推出Version 2.0并在京盛大揭幕。泰克科技中... (來源:新聞頻道)
泰克先進半導體開放實驗室功率器件測試 2024-5-17 11:34
據重慶日報報道,重慶萬國半導體科技有限公司 (以下簡稱“重慶萬國”) 已成功造出西南地區首顆獨立開發、設計并自行完成晶圓制造與封裝測試的 IGBT 元件。目前該 IGBT 元件通過用戶試用,預計今年年內實現量產。 (IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor,即絕緣柵雙極型晶體管) 據悉... (來源:新聞頻道)
IGBT 重慶萬國 2022-8-12 13:37
場效應管是在三極管的基礎上而開發出來的。三極管通過電流的大小控制輸出,輸入要消耗功率。場效應管是通過輸入電壓控制輸出,不消耗功率。場效應管和三極管的區別是電壓和電流控制,但這都是相對的。電壓控制的也需要電流,電流控制的也需要電壓,只是相對要小而已。就其性能而言,場效應管要明顯優于... (來源:技術文章頻道)
場效應管三極管 2021-8-4 09:27
什么是場效應管?場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。場效應管有哪些基本參數? (1)場效應管的基本參數 ①夾斷電壓UP 也稱截止柵壓UGS(OFF),... (來源:技術文章頻道)
場效應管電壓參數 2020-11-4 15:09
中國信通院數據顯示,2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬部,發展速度遠超業界預期。5G商用的加速推進,讓更廣泛的智能時代提前到來,隨之而來的是海量的芯片需求。然而,先進芯片制造工藝雖有巨資投入,卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應用需求;像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求... (來源:新聞頻道)
華虹宏力硬核技術 嵌入式閃存 5G 2019-12-16 11:09
MOS管工作原理動畫 絕緣型場效應管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離,因此而得名。又因柵極為金屬鋁,故又稱為MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結型場效應管大得多,可達1010Ω以上,還因為它比結型場效應管溫度穩定性好、集成化時溫度簡單,而廣泛應用于大規模和超大規模集成電路中... (來源:技術文章頻道)
MOS管金屬鋁柵極 2019-9-29 10:39
什么是偏置電路 晶體管構成的放大器要做到不失真地將信號電壓放大,就必須保證晶體管的發射結正偏、集電結反偏。即應該設置它的工作點。所謂工作點就是通過外部電路的設置使晶體管的基極、發射極和集電極處于所要求的電位(可根據計算獲得)。這些外部電路就稱為偏置電路。 場效應管偏置電路... (來源:技術文章頻道)
晶體管偏置電路場效應管 2019-9-10 10:03
IGBT模塊簡介 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大... (來源:電子百科頻道)
2013-4-7 15:02
百科名片 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開... (來源:電子百科頻道)
2013-4-7 11:44