有直流參數，包括開啟電壓、夾斷電壓、飽和漏極電流、輸入電阻；交流參數，即低頻跨導；極限參數，包括反向擊穿電壓和漏極功耗。1.開啟電壓UrUr是增強型MOS管的主要參數，當柵源電壓UGs小于開啟電壓的時，場效應管不能導通。如3C03型P溝道增強型MOS管的開啟電壓為—2～—4V，3D06A型N溝道增強型MOS管的... （來源：技術文章頻道）
絕緣柵型場效應管 2024-8-6 10:35
• 創新實驗室V2.0設備再更新、能力再升級；• 助力產業升級，主打開放性，先進性，本地化協作共贏；• 線上線下多元化互動，直擊測試痛點。泰克先進半導體開放實驗室，作為北京先進半導體測試領域的領軍者，今日宣布其實驗室經過全面升級后，推出Version 2.0并在京盛大揭幕。泰克科技中... （來源：新聞頻道）
泰克先進半導體開放實驗室功率器件測試 2024-5-17 11:34
據重慶日報報道，重慶萬國半導體科技有限公司 (以下簡稱“重慶萬國”) 已成功造出西南地區首顆獨立開發、設計并自行完成晶圓制造與封裝測試的 IGBT 元件。目前該 IGBT 元件通過用戶試用，預計今年年內實現量產。 (IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極型晶體管） 據悉... （來源：新聞頻道）
IGBT 重慶萬國 2022-8-12 13:37
場效應管是在三極管的基礎上而開發出來的。三極管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場效應管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。場效應管和三極管的區別是電壓和電流控制，但這都是相對的。電壓控制的也需要電流，電流控制的也需要電壓，只是相對要小而已。就其性能而言，場效應管要明顯優于... （來源：技術文章頻道）
場效應管三極管 2021-8-4 09:27
什么是場效應管?場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET)。場效應管有哪些基本參數? (1)場效應管的基本參數 ①夾斷電壓UP 也稱截止柵壓UGS(OFF)，... （來源：技術文章頻道）
場效應管電壓參數 2020-11-4 15:09
中國信通院數據顯示，2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬部，發展速度遠超業界預期。5G商用的加速推進，讓更廣泛的智能時代提前到來，隨之而來的是海量的芯片需求。然而，先進芯片制造工藝雖有巨資投入，卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應用需求；像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求... （來源：新聞頻道）
華虹宏力硬核技術 嵌入式閃存 5G 2019-12-16 11:09
MOS管工作原理動畫 絕緣型場效應管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極為金屬鋁，故又稱為MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結型場效應管大得多，可達1010Ω以上，還因為它比結型場效應管溫度穩定性好、集成化時溫度簡單，而廣泛應用于大規模和超大規模集成電路中... （來源：技術文章頻道）
MOS管金屬鋁柵極 2019-9-29 10:39
什么是偏置電路 晶體管構成的放大器要做到不失真地將信號電壓放大，就必須保證晶體管的發射結正偏、集電結反偏。即應該設置它的工作點。所謂工作點就是通過外部電路的設置使晶體管的基極、發射極和集電極處于所要求的電位（可根據計算獲得）。這些外部電路就稱為偏置電路。 場效應管偏置電路... （來源：技術文章頻道）
晶體管偏置電路場效應管 2019-9-10 10:03
IGBT模塊簡介 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 15:02
百科名片 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 11:44
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