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XP018平臺(tái)新增極具競(jìng)爭(zhēng)力的第二代高壓基礎(chǔ)器件全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái),增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA,提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比,此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件... (來源:新聞?lì)l道)
X-FAB CMOS代工 2024-5-20 15:20
近日,第二屆英飛凌碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇暨光伏與儲(chǔ)能分論壇在春意盎然的上海圓滿收官。此次盛會(huì)高朋滿座,英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部的管理團(tuán)隊(duì)和技術(shù)專家與碳化硅產(chǎn)、學(xué)、研界的大咖,以及共創(chuàng)生態(tài)系統(tǒng)的合作伙伴齊聚一堂,共話碳化硅技術(shù)的發(fā)展前景、應(yīng)用之道,并肩展望未來新能源發(fā)展趨勢(shì)。 ... (來源:新聞?lì)l道)
碳化硅新能源時(shí)代新興工業(yè) 2019-4-26 10:47
IR近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離子電池組保護(hù)及開關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等。 全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管,以... (來源:新品頻道)
IR60V器件StrongIRFETMOSFET 2014-4-24 17:53
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn),如導(dǎo)通電阻、導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級(jí)。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進(jìn)行展示,是許多關(guān)鍵應(yīng)... (來源:新品頻道)
VishaySuper12 2011-5-18 11:26
Vishay 推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。 SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET,其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm,最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%,厚度則薄了26%。 在... (來源:新品頻道)
Vishay60V 功率MOSFET SiM400 2010-1-6 14:25
Vishay 推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封裝,在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω,比市場(chǎng)上可供比較的最接近器件減小了13%。 N溝道SiE876DF的目標(biāo)應(yīng)用是工業(yè)型電源、馬達(dá)控制電路、用于服務(wù)器和路由器的AC/DC電源,以及使... (來源:新品頻道)
Vishay TrenchFET功率MOSFET SiE876DF 2009-8-26 15:06
十月三日訊,F(xiàn)airchild公司推出三種新型60V N溝MOSFET,特別設(shè)計(jì)用于大電流汽車電子應(yīng)用如馬達(dá)/人體負(fù)載控制,ABS(自動(dòng)剎車系統(tǒng)),動(dòng)力管理和注入系統(tǒng)。FDB035AN06A0, FDP038AN06A0 和FDD10AN06A0是Fairchild公司目標(biāo)應(yīng)用在汽車電子的中等電壓(60V-150V)PowerTrench?產(chǎn)品的第一種60V器件。(在2002年五月... (來源:新品頻道)
其它 2002-10-21 11:45
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