熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰,從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。簡介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性... (來源:技術(shù)文章頻道)
熱插拔應(yīng)用高效 MOSFET 2023-9-19 10:45
歡迎場效應(yīng)晶體管(FET)的愛好者們再度光臨,閱讀“了解MOSFET產(chǎn)品說明書”博客系列的第四部分!今天,筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在FET產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。產(chǎn)品說明書首頁上出現(xiàn)的脈沖電流額定值(IDM)與連續(xù)電流額定值很相似,因?yàn)樗且粋€(gè)理論上的計(jì)算... (來源:技術(shù)文章頻道)
脈沖電流額MOSFET 2022-2-8 09:27
TI推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET,其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B,可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外,TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的... (來源:新品頻道)
TINexFETN溝道功率熱插拔ORing低導(dǎo)通電阻CSD16570Q5BCSD17570Q5B 2015-1-22 14:59