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Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-263 7L表面安裝器件(SMD)封裝,漏極和源極的爬電距離大約為7mm,這樣安全標準很容易滿足.單獨驅動器的源引腳有助于降低柵極回路寄生電感,以避免柵極激振效應.器件最適合用在反激拓撲,12V/0V柵源極電壓和大多數的反激控制器兼... （來源：解決方案頻道）
CoolSiC SiC MOSFET電源管理 功率轉換器 Infineon IMBF170R1K0M1 2022-8-17 13:04
作者：Jeff Shepard 為了最大限度地提高交流市電供電設備（包括 AC/DC 電源、電池充電器、基于電池的儲能系統、電機驅動器和不間斷電源）的效率，功率因數校正 (PFC) 必不可少。其重要性在于，一些法規規定了特定類型電子設備的最低功率因數 (PF) 水平。設計人員面對在不斷縮小的外形尺寸內提高整體性能... （來源：技術文章頻道）
寬帶隙半導體 數字控制 功率因數校正 2022-3-24 10:37
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![[原創]Infineon IMBF170R1K0M1 1700V SiC MOSFET三相功率轉換器解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202208/sm_20220817130436.jpg)
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