近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品從工業領域向新能源汽車領域邁出堅實步伐。 提升性能，做實高品質產品通過認證的國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封... （來源：新聞頻道）
國星光電 SiC－SBD 2023-3-13 14:37
近日，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術，全新推出“NS62m SiC MOSFET功率模塊新品”，可應用于傳統工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領域。 1. 能源轉型儲能風起正當時在“雙碳”目標背景下，我國電力系統將向以新能源為主體的新型電力系統轉型，儲能作為靈活調節... （來源：技術文章頻道）
國星光電 NS62m 功率模塊 2022-12-16 16:27
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