全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出650V耐壓、內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽車電子產品可靠性標準“AEC-Q101*1”。該產品適用于以電氣化車輛為首的電動汽車(xEV)中的車載充電器和DC/DC... (來源:新品頻道)
ROHMIGBTRGWxx65C 2021-7-8 16:22