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作者：Jon Gabay內(nèi)存技術(shù)不會停滯不前。內(nèi)存架構(gòu)發(fā)生變化，更快、更高效的結(jié)構(gòu)被創(chuàng)建并用于連續(xù)幾代，例如 DRAM 到 SDRAM 到 DDR 到 DDR1、2、3 等等。然而，記憶進化不僅僅局限于結(jié)構(gòu)改進。存儲單元本身的底層技術(shù)一直在改進。特殊工藝和設(shè)計針對低功耗、非易失性、安全存儲或其他特殊... （來源：技術(shù)文章頻道）
嵌入式MCU內(nèi)存技術(shù) 2022-9-13 09:26
日前，德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器 (FRAM) 16位微控制器，從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻 (RF) 通信能力進入了一個新時代。新型MSP430FR57xx FRAM系列的面市進一步彰顯了 TI 在嵌入式處理技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，與基于閃存和EEPROM的微控制器相比，該FRAM系列可確保100倍以上的... （來源：新品頻道）
TIFRAM微控制器 2011-5-4 15:38
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