業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功... （來源：新品頻道）
Nexperia E－mode GAN FET 2023-5-10 10:36
意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設(shè)計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。 VIPerGaN50 采用單開關(guān)拓撲，集成很多功能，包括內(nèi)置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應用... （來源：新品頻道）
意法半導體GaN功率變換器VIPerGaN50 2022-4-8 13:03
領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC（聯(lián)合碳化硅）公司，現(xiàn)已發(fā)布業(yè)界最佳的750V、6mΩ器件，從而響應了電源設(shè)計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的一半，并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。今天所發(fā)布的產(chǎn)品包括750... （來源：新品頻道）
UnitedSiC6mΩ SiC FET 2021-9-14 09:29
泰克科技日前推出第二代IsoVuTM光隔離高壓探頭TIVP系列，大大增強了2016年首次推出的第一代突破性探頭的性能。第二代IsoVu探頭尺寸更小，使用更簡便，電氣性能更佳，有效發(fā)現(xiàn)普通隔離探頭隱藏的快速震蕩信號，把隔離探頭技術(shù)應用擴展到整個功率系統(tǒng)設(shè)計市場。 使用傳統(tǒng)差分探頭幾乎不可能在浮... （來源：新品頻道）
泰克IsoVu 2020-11-16 12:12
泰克科技日前發(fā)布了全新Keithley S530系列參數(shù)測試系統(tǒng)，該系統(tǒng)搭載了KTE 7軟件，提供更多增強功能。S530平臺使半導體制造商為高速增長的新技術(shù)增加參數(shù)測試功能，同時最大程度地減少資本投入和提高每小時晶圓制造效率。這將降低整體擁有成本，幫助制造商在競爭激烈的新興市場中應對巨大的價格壓力。 ... （來源：新品頻道）
泰克S530 2020-10-23 15:09
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