前往首頁 聯系我們 網站地圖
日立的電源器件部門宣布推出2款高壓IGBT模塊。新型3.3KV MBN1000E33E2和MBN1500E33E2 IGBT模塊分別可以提供1000A和1500A的額定電流。新型模塊是利用日立的新型E2系列精密型芯片工藝技術制造而成的,該工藝實現了更加經濟的生產工藝,提高了電流承受能力,并且增加了有效芯片單元面積。使用E2系列技術使... (來源:新品頻道)
Hitachi 高壓IGBTE2系列技術 2009-4-10 14:31
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099