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繼推出業界首款PFC和混合反激（HFB）組合IC后，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。專為高性能應用設計的全新XDP™混合反激數字控制器系列，采用先進的不對稱半橋（AHB）拓撲結構，將反激轉換器的簡易性和... （來源：新品頻道）
英飛凌E型XDP混合反激控制器IC 2025-3-27 10:00
具有同步整流功能的穩健的GaN諧振功率轉換器提高能效94%以上為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。 意法半導體的MasterGaN-SiP在一個封裝內整合了GaN功率晶體管與開關速度和控制準確度優化... （來源：新品頻道）
意法半導體 氮化鎵 工業電源 EVL250WMG1L 2024-12-23 10:16
前不久意法半導體發布了全新MASTERGAN1產品，它同時集成了半橋驅動器和兩個增強模式氮化鎵（GaN）晶體管， 類似的競爭產品僅僅只包含單個氮化鎵晶體管，這使得ST的MASTERGAN1在半橋拓撲應用中優勢明顯。例如，常見的 AC-DC系統中 LLC諧振轉換器，有源鉗位反激或正激，圖騰柱PFC等等。 該款新器件具有... （來源：新品頻道）
MASTERGAN1 氮化鎵晶體管 GaN 意法半導體 2024-12-11 10:52
STPOWER IH2面向工業和電磁加熱應用意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉換能效，相關參數十分出色，例如，飽和... （來源：新品頻道）
意法半導體 IGBT晶體管 STPOWER IH2 2023-9-12 10:03
Vishay推出薄型PowerPAK® 600 V EF系列快速體二極管MOSFET，其RDS(ON)*Qg FOM創業界新低N溝道器件實現高功率密度，降低導通和開關損耗，提高能效日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET... （來源：新品頻道）
二極管MOSFETSiHK045N60EF 2022-10-12 13:57
目標遠大：基美電子（KEMET）的KONNEKT™技術是高密度的封裝技術，可以在不使用金屬框架的情況下實現組件互連，從而降低電容器的 ESR、ESL和熱阻。這項技術使用創新的瞬態液相燒結(TLPS) 材料來創建表面貼裝多芯片解決方案。儒卓力在電子商務平臺www.rutronik24.com.cn上提供這些電容器產品。 ... （來源：新品頻道）
儒卓力基美電子KONNEKT陶瓷電容器 2021-9-10 09:24
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導通電阻比其前代器件低29 %，為通信、工業、計算和企業級電源應用提供高效解決方案，同時柵極電荷下降60 %，從而使... （來源：新品頻道）
VishaySiHH070N60EF 2020-12-23 15:03
汽車級金屬化聚丙烯薄膜器件工作溫度高達+125℃，適用于混合動力和電動汽車日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列汽車級交流和脈沖金屬化聚丙烯薄膜電容器---MKP385e，適用于混合動力和電動汽車。Vishay BCcomponentsMKP385e系列器件最高工作溫度達+125℃（電壓降額... （來源：新品頻道）
Vishay交流和脈沖薄膜電容器MKP385e 2019-11-25 11:06
全球領先的電子元器件供應商基美電子（KEMET）公司（NYSE：KEM）現在宣布以EIA 3640封裝尺寸為KC-LINKTM陶瓷表面貼裝電容器提供完整的電容和電壓產品。KC-LINK電容器具有極好的抗紋波電流性能，非常適合與快速開關的寬帶隙（WBG）半導體一起使用，這使電源轉換器能夠以更高的電壓、溫度和頻率工作，并實... （來源：新品頻道）
基美電子KC－LINK電容器電源轉換器 2019-10-8 09:46
為滿足業界對于提高功率密度與提高效率的廣泛需求，Diodes 公司推出 ZXGD3113同步整流控制器。搭配 MOSFET 時，其配對組合可在基于反馳或諧振轉換器拓撲的電源供應器中，取代高損耗的蕭特基整流器。ZXGD3113 可控制外部 MOSFET，例如 100V 16mΩ N 通道 DMT10H015LPS，配置為理想的二極管運作。以... （來源：新品頻道）
Diodes 公司同步整流控制器電路板ZXGD3113 2018-2-28 11:17
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