英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新的CoolMOS™ C7系列超結(SJ)MOSFET家族。該600 V系列相比CoolMOS™ CP可減少50%的開關損耗,在PFC、TTF和其他硬切換拓撲結構中可實現和GaN類似的性能水平。CoolMOS C7在業內率先實現1 Ω/mm2的面比電阻(RDS(ON)*A),它進一步擴展了... (來源:新品頻道)
英飛凌科技CoolMOS C7系列超結(SJ)MOSFET 2015-5-22 14:22