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富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM,其容量達到FRAM產(chǎn)品最高水平,運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶提供評測版樣品。 這款全新FRAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品,在125℃高溫環(huán)境下可以達到10兆次讀/寫次數(shù),工作電流低,是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統(tǒng)... (來源:新品頻道)
富士通4Mbit FRAM 2020-7-24 10:51
這款非易失性內(nèi)存是高端汽車市場高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的理想之選富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM,可在125℃高溫度下正常運行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V,配有串行外設(shè)接口(SPI)。目前可為客戶提供評測版樣品,將在6月實現(xiàn)量產(chǎn)。這款全... (來源:新品頻道)
富士通電子 MB85RS2MLY 2Mbit FRAM 2020-5-11 14:00
富士通宣布可提供富士通微電子2兆位(Mbit)的FRAM存儲芯片,這是世界上批量生產(chǎn)的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲器具有高速數(shù)據(jù)寫入、低功耗并可提供大量寫周期等特征。它們是汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、多功能打印機、測量儀表及其它使用非易失性存儲器來存儲各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作條件并... (來源:新品頻道)
2Mbit鐵電存儲器汽車打印機 2007-6-21 11:27
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