高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今天宣布推出面向汽車車身應用的RH850/F1x系列32位微控制器（MCU），它是RH850系列汽車MCU的首款產品，配置了采用業內最先進40 nm工藝的嵌入式Flash存儲器。 該新款MCU面向各種汽車車身應用，具有諸多優勢。RH850/F1x系列由3組產品 - RH850/F... （來源：新品頻道）
瑞薩電子嵌入式40nmFlash存儲器 2012-10-18 15:30
瑞薩科技推出采用片上閃存的 32 位 MCU SH74504 和 SH74513 ， 有助于汽車應用中的輔助駕駛控制系統實現 “ 主動安全 ” 功能 ， 并可實現比早期同類產品更高的性能。樣品將從2009年2月開始在日本交付。 SH74504 和 SH74513 是采用瑞薩科技 SuperH 系列中最強大的 SH -4A CPU 內核。這些器件采用 90 n... （來源：新品頻道）
片上大容量閃存SRAMMCUSH74504SH74513汽車電子 2008-11-17 13:50
Renesas推出一種采用65 nm工藝制造的新的SH7786雙核處理器，它可以用于汽車導航系統等高性能多媒體設備。該器件可以實現高達每秒1,920百萬指令（MIPS）（在533 MHz工作時為960MIPS×2）的卓越處理性能和超高速數據傳輸。樣品將從2008年10月開始在日本交付。該器件將于2009年向瑞薩廣泛的消費及工業客戶供... （來源：新品頻道）
汽車導航系統汽車電子高性能多媒體系統SH7786雙核處理器 2008-9-12 17:57
Renesas推出適用于汽車引擎和傳動系統控制的SH72544R SuperH系列微控制器。這款微控制器具有高達200 MHz的高速運算能力及高速、大容量2.5 MB片上閃存功能。樣品將于在2008年7月8日開始在日本供貨。 2007年8月，瑞薩科技發布了SH72546RFCC軟件開發用微控制器，它是業內第一款 采用90 nm工藝制造的片上閃... （來源：新品頻道）
SuperH系列微控制器SH72544RSH-2A CPU內核片上閃存 2008-7-16 17:00
NXP繼2008年1月23日完成對GPS技術供應商GloNav的收購之后，日前發布為手機和獨立個人導航設備（PND）設計的第一款單芯片Assisted-GPS (A-GPS) 解決方案。采用先進架構的恩智浦GNS7560是業內最小巧、功耗最低、系統成本最低的GPS解決方案。 為進一步利用這些設計優勢，恩智浦將此一流的GPS技術集成到現有... （來源：新品頻道）
Assisted-GPS解決方案GNS7560 2008-2-20 16:04
Xilinx推出其最新90 nm工藝的低成本Spartan-3A FPGA 在2008年1月7日的國際消費電子展（CES）上， Xilinx公司推出其最新的90 nm工藝低成本Spartan(TM)-3A FPGA。該產品優化了諸如數字顯示器，機頂盒以及無線路由器的應用，新款小波形因子器件滿足了業界對于較小封裝的需求，使那些對價格極為敏感的消... （來源：新品頻道）
90 nm工藝低成本Spartan-3A FPGA 2008-1-10 15:38
瑞薩科技公司（Renesas）宣布，該公司已完成了一個創新的新型CISC（復雜指令集計算機）CPU架構設計，它將賦予瑞薩未來一代CISC微控制器（MCU）在代碼效率、處理性能和功耗方面無與倫比的能力。采用了新型架構的產品將以"RX"系列命名。 RX是瑞薩第一個eXtreme MCU內核系列，將在未來幾年賦予許... （來源：新品頻道）
微控制器CPU內核90 nm Flash工藝 2007-11-19 14:06
ST推出一款新的內置Flash存儲器的安全型微控制器（MCU），成為世界上首款基于90 nm工藝的安全型MCU。ST21F384為基于ST21智能卡平臺的最微型的器件，優化于2.5G和3G手機通信，使用Flash存儲器作為程序存儲器取代了ROM，從而為設備制造商增加了靈活性和減短了投入市場的時間，此外90 nm工藝增加了成本收益... （來源：新品頻道）
安全MCU ST21F384 2007-11-14 15:10
9月27日訊,Renesas公司推出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND型閃存存儲器，可以提供世界上最快的10MBps編程速度，用于電影和類似應用中的大容量數據的高速記錄。2004年9月，將從日本提供樣品，隨后在12月將開始批量生產.單價為12000日元. R1FV04G13R和R1FV04G14R分別具有 8和 16位配置，可... （來源：新品頻道）
存儲器 2004-10-13 14:26
6月17日訊, 瑞薩科技(Renesas Technology)公司推出一種新型的業界第一個實際上沒有軟錯誤的低功耗SRAM,稱作superSRAM. 由于采用新的單元類型和DRAM電容器技術，與瑞薩科技先前的產品相比，軟錯誤率大約減少了4位數，同時大大減小了元件尺寸、降低了功耗。這種新型SRAM將投入商業性生產，并用于移動應用... （來源：新品頻道）
存儲器 2004-7-6 15:51
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