采用新型熱阻增強封裝的P2系列表現出超高的電氣性能，支持具有挑戰性的高功率應用，堅固可靠無晶圓廠環?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設計的、超低導通電阻(RDS(on)... （來源：新品頻道）
CGD GaN功率IC 2024-6-12 10:24
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學檢查、節省了系統成本，并提高了可靠性無晶圓廠環?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于... （來源：新品頻道）
CGD GaN 功率 IC 封裝 2024-6-5 09:52
CGD 率先推出獨立的 GaN 芯片二維條形碼，可通過商用讀碼器讀取以識別晶圓上的 IC 制造位置英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環?？萍及雽w公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 再一次通過領先行業的創新舉措展示公司的創新決心：在 GaN IC... （來源：新品頻道）
Cambridge GaN DevicesGaN 芯片二維條形碼 2023-9-25 11:36
穩健、高效，可像 MOSFET 一樣驅動Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環?？萍及雽w公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產品，該器件具備業界領先的穩健性、易用性，可實現歷史最高效率。H2 系... （來源：新品頻道）
Cambridge GaN DevicesICeGaN ICs 2023-5-15 15:28
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