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產品概述 ET51200 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數據速率 (DDR) 終端穩壓器，專門針對低輸入電壓、低成本、低噪聲的空間受限型系統而設計。 ET51200 可保持快速的瞬態響應，僅需 20µF 較小輸出電容。ET51200 支持遙感功能，并滿足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終... （來源：新品頻道）
DDR終端穩壓器LDO力芯微ET51200 2025-8-14 09:24
在當今數字化時代，顯示技術的創新與發展日新月異。無論是家用電器、游戲機還是各類智能設備，高亮度、高精度的顯示已成為提升用戶體驗的關鍵因素。作為 LED 顯示系統的 “心臟”，LED驅動芯片性能不僅直接決定著發光單元的亮度、色彩及壽命表現，更關乎整體系統的能效比與可靠性。 近... （來源：新品頻道）
絡明芯LED IS31FL3758 2025-6-12 16:27
米爾在2024年8月推出了基于新唐MA35D1芯片設計的嵌入式處理器模塊MYC-LMA35核心板及開發板。MA35D1是集成2個Cortex-A35與1個Cortex-M4的異構微處理器芯片。核心板采用創新LGA 252PIN設計，原生17路UARTHE 4路CAN FA等豐富的通訊接口，可廣泛應用于新能源充電樁、工程機械控制器、OBD汽車診斷儀、工業網... （來源：新品頻道）
MA35D1 核心板 開發板 新唐 2024-11-8 10:31
自米爾國產全志T113系列的核心板發布以來，這款高性價比、低成本、入門級、高性能的國產核心板咨詢不斷，配套的開發板已經成交量數百套，深受工程師們的青睞，為了集齊T113全系列的產品，這次米爾發布了基于全志T113-i處理器的核心板和開發板，讓廣大工程師有了更多的選擇。接下來看看T113-i這款國產核... （來源：新品頻道）
國產核心板、T113－i系列核心板開發板 2023-9-22 09:40
專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 代理商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Microchip Technology的SAM9X70超低功耗微處理器 (MPU)。SAM9X70系列MPU集高性能、低功耗、低系統成本和高價值于一身，在功能強大的800MHz Arm Thumb®處理器的加持下，提供一系列令人印象深刻的連接... （來源：新品頻道）
貿澤MicrochipSAM9X70超低功耗MPU 2023-9-15 15:20
作為TE Connectivity 的授權分銷商，Heilind可為市場提供相關產品服務與支持，此外Heilind也供應多家世界頂級制造商產品，涵蓋25種不同元器件類別，重視所有的細分市場和所有的顧客，不斷尋求廣泛的產品供應來覆蓋所有市場。內存是數據中心、服務器以及個人計算機等技術發展的重要組成。目前內存的發展... （來源：新品頻道）
DDR5 DIMM 插槽連接器 2023-5-6 14:16
相較于主要用在PC上的DDR DRAM模組產品，LPDDR提供了一種功耗顯著降低的高性能解決方案，而降低功耗是平板電腦、超薄筆記本、智能手機和汽車等移動應用的重點要求。從2009年第一代開始，LPDDR持續迭代升級，來滿足移動終端不斷迭代產生的更先進、高速的存儲需求。 LPDDR迭代升級過程佰維在LPDDR產品... （來源：新品頻道）
佰維 LPDDR5存儲芯片 移動智能終端 2022-11-16 15:06
經歷了早期探索年代，如今可穿戴設備、物聯網在應用領域的表現力逐漸增強，低功耗、小型化的需求促進了多芯片封裝（MCP）存儲產品的廣泛應用。 2019年，江波龍電子旗下嵌入式存儲品牌FORESEE微存儲產品線推出了nMCP（NAND-based MCP）系列產品4Gb+2Gb、2Gb+2Gb的容量組合。 隨著物聯的廣泛應用，nMCP... （來源：新品頻道）
FORESEE NAND－based 2020-11-19 15:47
采用BGA封裝的ISL91211AIK和ISL91211BIK PMIC更易用于參考設計，縮短工業與運算類應用產品上市時間全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布推出三款易于使用的電源管理IC（PMIC）參考設計，用于為Xilinx Artix-7、Spartan-7系列FPGA以及Zynq-7000 SoC的多個電源軌供電，并... （來源：新品頻道）
瑞薩電子Xilinx FPGASoCPMIC 2020-3-25 11:39
國際領先的定制化芯片（ASIC）設計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應商——燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導體”）日前對外宣布推出基于SMIC40LL工藝的第二代DDR低功耗物理層IP，該IP與第一代的低功耗DDR PHY相比面積減少20%， 功耗減少37%，物理實現時間減少50%。第二代DDR低功耗物... （來源：新品頻道）
燦芯半導體 第二代DDR低功耗物理層IP 2018-3-1 10:06
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