采用新型熱阻增強封裝的P2系列表現出超高的電氣性能,支持具有挑戰性的高功率應用,堅固可靠無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設計的、超低導通電阻(RDS(on)... (來源:新品頻道)
CGD GaN功率IC 2024-6-12 10:24
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學檢查、節省了系統成本,并提高了可靠性無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于... (來源:新品頻道)
CGD GaN 功率 IC 封裝 2024-6-5 09:52
CGD 率先推出獨立的 GaN 芯片二維條形碼,可通過商用讀碼器讀取以識別晶圓上的 IC 制造位置英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 再一次通過領先行業的創新舉措展示公司的創新決心:在 GaN IC... (來源:新品頻道)
Cambridge GaN DevicesGaN 芯片二維條形碼 2023-9-25 11:36
穩健、高效,可像 MOSFET 一樣驅動Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產品,該器件具備業界領先的穩健性、易用性,可實現歷史最高效率。H2 系... (來源:新品頻道)
Cambridge GaN DevicesICeGaN ICs 2023-5-15 15:28
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®(納斯達克代碼:QRVO)今日推出兩款氮化鎵 (GaN) 8 瓦功率放大器模塊 (PAM)QPA3908 和 QPA3810,兼有高性能和遠小于傳統分立元件解決方案的占用空間的優勢,從而減少網絡基礎設施設備制造商所需的板級占用空間。兩款產品... (來源:新品頻道)
Qorvo 5G PA 模塊QPA3908 QPA3810 2022-8-16 10:32