穩(wěn)健、高效,可像 MOSFET 一樣驅(qū)動Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產(chǎn)品,該器件具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性,可實現(xiàn)歷史最高效率。H2 系... (來源:新品頻道)
Cambridge GaN DevicesICeGaN ICs 2023-5-15 15:28