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NEC電子公司推出了PowerMOSFET NP系列新品NP28N10SDE和NP36N10SDE。兩器件的擊穿電壓為100V，補充了低電壓PowerMOSFET產品，用于汽車應用中。 NP28N10SDE和NP36N10SDE的額定電壓為100 V，開關電流分別高達28 A和36 A。兩器件采用NEC電子公司的UMOS-2技術，具有RDS(開)值：41 mΩ (NP28N10SDE) 和27 mΩ ... （來源：新品頻道）
汽車電子NEC擊穿電壓PowerMOSFET NP-系列NP28N10SDENP36N10SDE 2009-7-1 10:23
近日，NEC電子歐洲公司宣布為汽車應用中的低電壓PowerMOSFET推出新封裝形式HSON-8。 HSON-8封裝尺寸為6.0毫米 x 5.2毫米 x 1.45毫米，與SOP-8封裝的占位面積相同。HSON-8封裝與DPAK (TO-252)封裝相比，節省一半安裝空間，同時兼具DPAK封裝優異的熱性能和電子性能。HSON-8封裝的最大載流能力為75A。配合... （來源：新品頻道）
NEC電子歐洲公司汽車電子小型HSON-8封裝PowerMOSFET 2009-2-23 14:16
近日，NEC電子（歐洲）推出兩款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ，以擴展其低電壓PowerMOSFET系列產品。新產品采用NEC電子的SuperJunction1技術，具有杰出的優值系數（FOM），可最小化開關損耗并提高系統效率。 與UMOS-4溝道技術相比，SuperJunction1技術可減少超過30%的柵電荷和輸入電容，同時保... （來源：新品頻道）
NECPowerMOSFET新品NP110N04PUJNP110N055PUJ 2009-2-12 15:01
英飛凌在中國國際電源展覽會上宣布推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封裝的40V、60V和80V OptiMOS 3 N溝道MOSFET，在這些擊穿電壓下可提供無鉛封裝形式下的全球最低通態電阻。SuperSO8封裝與標準TO（晶體管外形）封裝相比，可使功率密度增大50%，特別是對于服務器開關模式電源的同步整流應用... （來源：新品頻道）
N溝道MOSFETOptiMOS 3 2008-5-26 15:50
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