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大功率處理能力，提升移動用戶體驗，為醫療設備和智能工業技術帶來新機遇服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)推出了100W無線充電接收器芯片，這是業內額定功率最高的無線充電接收芯片，面向當前市場上最快的無線充電。使用... （來源：新品頻道）
意法半導體100W無線充電接收器STWLC99 2022-12-16 14:01
領先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m?6?8 RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要... （來源：新品頻道）
Nexperia助力汽車 2021-5-27 11:21
安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領域的生產專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經是業內公認的低壓、低RDS(on)的領先器件，它樹立了25 V、0.57 mΩ的新標準。該市場領先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術實現，并不... （來源：新品頻道）
安世半導體LFPAK56封裝 RDS(on) MOSFET 2020-2-20 10:34
恩智浦半導體（納斯達克代碼：NXPI）今日推出業內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。 即將面世的新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N溝道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020... （來源：新品頻道）
NXP可焊性鍍錫側焊盤MOSFET 2012-6-20 10:07
Linear推出 4 端口以太網供電 (PoE) 控制器 LTC4266，該器件用于需要提供 IEEE 802.3at (25.5W) 專有功率級的供電設備 (PSE)。下一代 PoE 應用需要更多功率以支持要求苛刻的功能，同時需要提高功率效率，旨在實現更加優越的“綠色” 性能和成本節省。LTC4266 在 4 線對以太網電纜系統上提供高達 100W 的... （來源：新品頻道）
Linear 4 端口以太網供電 PoE 控制器 LTC4266 2009-6-1 13:08
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor )的FDB045AN08A0, FDP047AN08A0和FDD16AN08A0 N- MOSFET，據稱在42V汽車電子市場中，室溫的導通電阻RDS(on)是最低的，4.5m歐姆。當用多個器件并聯來控制大功率負載時，符合AECQ101標準的75V器件要有低柵電荷，以限制驅動電流的要求。其指標如下：導通電阻RDS(o... （來源：新品頻道）
汽車電子 2002-7-30 11:50
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