SemiQ 致力于針對(duì) 1,200V 碳化硅 MOSFET 太陽(yáng)能逆變器，這些 MOSFET 經(jīng)過(guò) 800mJ 雪崩測(cè)試，部分與碳化硅肖特基二極管共封裝——所有產(chǎn)品均具有內(nèi)置反向二極管。 有四種設(shè)備： GCMS008C120S1-E1 8.4mΩ 配有肖特基二極管 GCMS016C12... （來(lái)源：新品頻道）
MOSFET SemiQ 2025-4-28 09:28
在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域，SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以滿足各行業(yè)對(duì)高功率密度和能效解決方案日益增長(zhǎng)的需求。 新推出的SiC MOSFET模塊采用強(qiáng)大的平面技... （來(lái)源：新品頻道）
SemiQSiCMOSFET模塊電源系統(tǒng) 2025-4-21 09:15
近日，半導(dǎo)體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布，其QSiC™產(chǎn)品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、電動(dòng)汽車(EV)充電站在內(nèi)的多種高要求應(yīng)用場(chǎng)景在尺寸和功率上的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。這款新推出的SiC肖特基二極管技術(shù)亮點(diǎn)在于其無(wú)... （來(lái)源：新品頻道）
SemiQ SiC肖特基二極管雙二極管模塊 2024-7-4 09:41
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