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↓在 技術文章 中搜索到 35 條關于“Diodes”的信息，用時:0.001 sec.

SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估

摘要本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅動電機功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續流導通期間出現失效或柵極驅動命令信號錯誤，就會致使變換器功率開關管在雪崩條件下工作。因此，本文通過模擬雪崩事件，進行非鉗位感性負載...
SiC MOSFET應用技術功率變換器魯棒性評估 2024-10-12

自走式電器上的電池放電保護

作者: Diodes 公司分立產品營銷經理 Shane Timmons使用 MOSFET 作為理想二極管，為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全保護。無線電器上的安全隔離隨著家用和工業用無線電器逐漸普及，電池放電保護的需求也隨之出現。兩個突出的例子是自動割草機和掃地機器人，它們需要充電或閑置時會自動返回充電座。自...
無線電器電池放電保護 2023-11-13

提高汽車的功能安全性掌握ESD實現無干擾的數據傳輸

作者：Emilia Mance目前電子組件大約占據一輛汽車總價值的三分之一，而且這個比例還將上升。汽車中17%的半導體故障是由靜電放電(ESD)造成的，因而必需采取適當的ESD保護措施。在日常生活中，人們觸摸車門時偶爾會感到手指刺痛或靜電沖擊，這感覺僅會令人不快；但對于一些電子組件，遇上靜電放電(ESD)可...
ESD靜電放電ESD二極管數據傳輸 2023-06-16

電子設備中的語音和音頻控制進展

作者：貿澤電子Mark Patrick言語是人們表達思想和愿望的一種有效方式。在工業時代到來之前，人類發現動物可以被訓練用來識別和響應讓它們執行某些任務的基本命令。下一個合乎邏輯的發展應該是開發一種使用聲音信號與機器進行交流，并指揮機器行動的方法。近年來，以語音和音頻作為電子設備的控制界面越...
電子設備音頻控制 2023-05-16

使單線圈繼電器驅動器適應雙線圈使用

繼電器是電路中常見的機電設備，有兩種類型：鎖存或非鎖存。自鎖繼電器即使在完全斷電后仍能保持其的開關位置，并且有單線圈或雙線圈版本。單線圈自鎖繼電器僅使用一個線圈來設置或復位開關位置，但需要正負電壓。當施加正電壓時，電流沿一個方向流動并進入繼電器進入設定狀態（即繼電器開關閉合）。負...
繼電器驅動器 2023-02-24

通過轉移到SiC技術來獲得暖通空調更佳的SEER等級

作者：貿澤電子Mark Patrick由于能源價格在過去12個月中大幅攀升，無論是企業還是消費者都開始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021[1]期間，天然氣價格上漲了47%。以德國為例，六分之一的發電量依賴天然氣。而在美國，五分之二的電力來自于天然氣發電。在歐盟[2] ，各種空間和工業供暖消耗了約75...
SiC技術SEERMouser 2023-02-01

同步降壓式DC／DC高效率的奧秘：我們通過幾款產品解析，告訴你~

作者： Jeff Shepard在包括汽車、工業自動化、電信、計算機、白色家電和消費電子在內的各種系統中，將高母線電壓降至較低電壓，從而為IC和其他負載供電的需求越來越大。設計者面臨的挑戰是，如何以最高的效率、最小的熱負荷、低成本以及盡可能小的解決方案尺寸來實現這種降壓轉換。傳統的異步降壓...
電源管理DC／DC轉換器 2022-11-21

IGBT柵極驅動設計，關鍵元件該怎么選？

柵極驅動中最關鍵的時刻是IGBT的開啟和關閉。我們的目標是快速執行此功能，在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過，上升/下降時間過快可能會導致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時間過慢會增加IGBT的開關損耗。圖1：DGD0216 的柵極驅動組件上圖展示的是來自Diodes的DGD0216柵極驅動器組件。通過仔細...
IGBT柵極驅動 2022-09-29

深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為

作者簡介文：Paul Sochor, Andreas Huerner, Qing Sun, Rudolf Elpelt德國英飛凌科技股份公司通訊作者：Paul Sochor, paul.sochor@infineon.com摘要本文探討了影響高速SiC MOSFET開關特性的關鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重...
SiC MOSFET開關行為功率轉換器 2022-08-30

深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為

作者簡介：文：Paul Sochor, Andreas Huerner, Qing Sun, Rudolf Elpelt德國英飛凌科技股份公司通訊作者：Paul Sochor, paul.sochor@infineon.com摘要本文探討了影響高速SiC MOSFET開關特性的關鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和...
SiC MOSFET開關行為 2022-08-24

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