作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統電力轉換效率,并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中,應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件,可以實現更低的開關和導通損耗,同時具有更高... (來源:技術文章頻道)
SiC MOS碳化硅MOSFET世輝基本半導體 2024-6-19 11:31