摩爾定律已逼近物理極限。“卷不過”就換賽道,寬禁帶半導體成為后摩爾時代半導體發展的“蹊徑”之一,而在這一領域,國內企業有望實現彎道超車。寬禁帶半導體是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表,也稱“第三代半導體”。采用SiC、GaN材料制備的半導體器件不... (來源:技術文章頻道)
寬禁帶半導體 SiC 2022-10-20 10:12