作者：Littelfuse Sachin Shridhar Paradkar、Raymon Zhou、José PadillaLittelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（... （來源：技術文章頻道）
LittelfuseP溝道功率MOSFETs 2024-4-3 10:50
作者：英飛凌科技 Radovan Vuletic與邁斯沃克軟件 Rick Hyde在設計功率轉換器時，可以使用仿真模型在多個設計維度之間進行權衡。使用有源器件的簡易開關模型可以進行快速仿真，帶來更多的工程洞見。然而，與制造商精細的器件模型相比，這種簡易的器件模型無法在設計中提供與之相匹敵的可信度。本文探討... （來源：技術文章頻道）
MOSFET模型功率轉換器設計 2022-9-20 16:53
功率MOSFET是最常見的功率半導體，主要原因是因為其柵極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度，使其成為電機驅動時最常用的功率半導體。本文將為您簡介功率MOSFET的技術特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的產品特性。MOSFET與IGBT各有優(yōu)勢功率半導體是電子裝置中電能轉換與電... （來源：技術文章頻道）
電機驅動 功率MOSFET 2022-6-17 10:37
歡迎場效應晶體管（FET）的愛好者們再度光臨，閱讀“了解MOSFET產品說明書”博客系列的第四部分！今天，筆者將談論脈沖電流額定值、它們的計算方法以及在FET產品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。產品說明書首頁上出現(xiàn)的脈沖電流額定值（IDM）與連續(xù)電流額定值很相似，因為它是一個理論上的計算... （來源：技術文章頻道）
脈沖電流額MOSFET 2022-2-8 09:27
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