隨著AI計算功耗的不斷增長,碳化硅(SiC)逐漸成為AI數(shù)據(jù)中心電源供應單元的重要材料,主要用于交直流轉(zhuǎn)換階段。通過降低能耗、優(yōu)化散熱和提升功率密度,碳化硅打破了傳統(tǒng)半導體材料的應用天花板,拓展了其在AI數(shù)據(jù)中心的市場潛力。 AI服務器在計算需求日益增長的背景下,功耗越來越高。為此,數(shù)... (來源:技術文章頻道)
第三代半導體AI 2025-11-14 11:30
在能源轉(zhuǎn)型與數(shù)字化浪潮交匯的時代背景下,儲能不再只是電力系統(tǒng)的“備用電池”,而是關乎“雙碳”目標實現(xiàn)與能源安全的新型基礎設施。尤其在新型電力系統(tǒng)建設中,儲能正從“補充環(huán)節(jié)”走向“核心調(diào)節(jié)器”,承擔著平衡供需、提升韌性、支撐新能源消納的重要使... (來源:技術文章頻道)
儲能傳感器 2025-10-30 09:22
作者:安森美 儲能系統(tǒng)(ESS)能將來自不同發(fā)電方式(煤炭、核能、風能、太陽能等)的能量,以多種形式儲存起來,例如電化學儲能、機械儲能等。電池儲能系統(tǒng)(BESS,Battery Energy Storage System)在住宅和商業(yè)場景中均有廣泛應用,是比較熱門的一個研究領域。 在住宅場景... (來源:技術文章頻道)
高電壓儲能電源 2025-10-15 14:43
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表,因其高導熱、高擊穿電壓和高開關頻率等優(yōu)異特性,被視為提升新能源汽車性能、降低能耗的關鍵技術,但高昂的成本卻一直制約著SiC大規(guī)模普及,如何讓SiC從高端旗艦下放至主流車型、主流光儲逆變器,成為行業(yè)共同命題。 近日,小鵬汽車與芯聯(lián)集成聯(lián)合宣布國內(nèi)... (來源:技術文章頻道)
碳化硅新能源汽車 2025-8-27 13:16
作者:安森美 碳化硅(SiC)功率開關器件正成為工業(yè)電池領域一種廣受歡迎的選擇,因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關速度和更優(yōu)異的低損耗工作,從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現(xiàn)的新型功率因數(shù)拓撲結構。本文將介紹優(yōu)化拓撲結構與元器件選型。 ... (來源:技術文章頻道)
充電器拓撲結構 2025-8-19 11:50
作者:安森美 小到電動工具、割草機,大到叉車、托盤車及自動導引車等物料搬運設備,電池供電設備正日益成為工業(yè)和建筑領域的理想選擇。這類電池充電器系統(tǒng)必須兼具可靠性與耐用性,在惡劣的戶外工業(yè)環(huán)境中保持性能良好,同時滿足緊湊輕量化設計且無需強制冷卻。此外,這些電池充電器系統(tǒng)... (來源:技術文章頻道)
工業(yè)充電器PFC 2025-8-13 13:12
作者:安森美 碳化硅(SiC)功率開關器件正成為工業(yè)電池領域一種廣受歡迎的選擇,因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關速度和更優(yōu)異的低損耗工作,從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現(xiàn)的新型功率因數(shù)拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。 隔... (來源:技術文章頻道)
充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17
Microchip Technology Inc. 高功率解決方案業(yè)務部 資深顧問級應用工程師 Ehab Tarmoom 在減少排放和實現(xiàn)凈零目標的前進道路上,碳化硅技術將在可持續(xù)發(fā)展應用中發(fā)揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統(tǒng)中添加電力電子器件(例如電機驅(qū)動器)或增強現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達到更高的電... (來源:技術文章頻道)
SiC熔絲保護高壓電氣電子熔絲 2025-6-30 16:00
安森美具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET,特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結構,可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。 ... (來源:技術文章頻道)
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
基于多個高功率應用案例,我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢,兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區(qū)間,但分立MOSFET卻能帶來獨特優(yōu)勢:設計自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當單個 MOSFET 無法滿足功率需求時,再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。 然而,功率... (來源:技術文章頻道)
意法半導體 SiC MOSFET 并聯(lián) 2025-6-20 10:30