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眾所周知,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體,相較傳統的硅材料半導體,具備許多非常優異的特性,如高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等。前一個十年,第三代半導體材料已經在基站射頻、功放等通信領域嶄露頭角;2021年,隨著“十四五”規劃的提出,中國將加速... (來源:技術文章頻道)
碳化硅(SiC) 氮化鎵(GaN)功率半導體 半導體材料 2021-7-27 16:32
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