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在半導(dǎo)體制程技術(shù)的前沿,英特爾正穩(wěn)步推進(jìn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,加速實(shí)現(xiàn)在2025年推出尖端的制程節(jié)點(diǎn)Intel 18A。今天,我們將介紹英特爾的兩項(xiàng)突破性技術(shù):RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點(diǎn),也將用于Intel 18A。RibbonFET:柵極“... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
晶體管 Intel-18A 英特爾 RibbonFET 2024-9-13 10:30
英特爾加速制程工藝和封裝技術(shù)創(chuàng)新,加強(qiáng)每年創(chuàng)新的節(jié)奏,推動(dòng)從芯片到系統(tǒng)全面領(lǐng)先 2021年7月27日,英特爾CEO帕特•基辛格在“英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會(huì)”上發(fā)表演講。在這次線上發(fā)布會(huì)中,英特爾提出了未來(lái)制程工藝和封裝技術(shù)路線圖。(圖片來(lái)源:英特爾)新聞重點(diǎn)•... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
英特爾制程工藝封裝技術(shù) 2021-7-29 09:27
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