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作者：Vito Prezioso，電源專家現場應用工程師（南歐），富昌電子根據歐盟（EU）的研究，2015 年家用設備在關閉或待機模式下的年能耗估計為 59.4 TWh。這種電能浪費導致了 2380 萬噸二氧化碳當量的溫室氣體的排放。現在，設備制造商必須設計產品以將待機功耗控制在嚴格的限制范圍內。但這并不總是一項復... （來源：技術文章頻道）
待機功耗 電源IC 2024-10-9 09:57
電機是機器人執行器系統的關鍵部件，負責機器人的移動和控制。根據電磁原理，電機可將電能轉化為機械能，從而為機器人的物理運動提供動力。現在，機器人可以完成從簡單的輪子旋轉到非常復雜的醫療手術等操作，這一過程通常由機器人控制器來掌控，它們通過向電機發送控制信號以達到執行這些動作的目的。... （來源：技術文章頻道）
機器人運動控制 電機驅動 2024-9-25 10:20
本文要點• 氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。• 氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。• 氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵 GaN Cadence 2024-7-3 11:02
作者：Pranjal Srivastava根據最保守的估計，電機占全球工業用電量的 50% 以上，占全球用電量的 45%。哪怕只是提高一點點工業電機驅動系統的效率，都將極大地影響全球能源消耗，并減少對環境的影響。為了解決全球范圍內的能源消耗問題，越來越嚴格的能效標準不斷涌現，這給電力電子設計人員帶來了新的挑... （來源：技術文章頻道）
Wolfspeed 功率模塊電機驅動器 2024-3-21 10:35
致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件的1KW DC/DC電源模塊方案。 圖示1-大聯大詮鼎基于Innoscience產品的1KW DC/DC電源模塊方案的展示板圖 隨著“雙碳”概念的逐漸深入，智能化和低碳化已... （來源：技術文章頻道）
大聯大詮鼎集團 Innoscience DC／DC電源模塊 2024-1-18 14:51
Stephan Kubisch, DirectorStephan Kubisch，總監摘要為了增強邊緣智能，機電執行器需要智能和高度集成的驅動器解決方案。這些智能邊緣設備融合了執行器和傳感器功能，支持在機器層面更好地進行實時決策，并向更高的控制層級、云或AI生產力解決方案提供原位反饋信息。本文討論了模擬和數字技術交匯之處... （來源：技術文章頻道）
機電執行器邊緣智能 2024-1-17 16:03
為了增強邊緣智能，機電執行器需要智能和高度集成的驅動器解決方案。這些智能邊緣設備融合了執行器和傳感器功能，支持在機器層面更好地進行實時決策，并向更高的控制層級、云或AI生產力解決方案提供原位反饋信息。本文討論了模擬和數字技術交匯之處——智能邊緣的智能驅動器解決方案和技術 。在尋... （來源：技術文章頻道）
智能邊緣機電執行器模擬和數字技術 2023-12-11 11:03
IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。 圖 1. IGBT的... （來源：技術文章頻道）
IGBT 柵極驅動 IGBT晶體管 2023-7-13 13:43
氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵 GaN 電源管理 2023-4-19 10:35
作者：Vito Prezioso 電源專家現場應用工程師，富昌電子（北歐）氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 為電源系統設計人員提供了一個令人興奮的新選擇。與硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他們能夠顯著降低開關損耗并提高電源效率，并支持更高的開關頻率，從而減小系統尺寸和重量。... （來源：技術文章頻道）
GaN 電源系統 集成驅動器 2023-3-28 10:50
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