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一文掌握UV LED在空凈消殺領(lǐng)域的主要應(yīng)用

一文掌握UV LED在空凈消殺領(lǐng)域的主要應(yīng)用

近年來，隨著科技的日新月異，LED領(lǐng)域也發(fā)展迅速。作為一種新型LED，UV LED憑借其眾多優(yōu)秀特性而備受矚目。本文將介紹UV LED的主要性能、背后原理以及在空凈消殺相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用。一、走進(jìn)UV LED紫外線（Ultra Violet）是指太陽光線的可視光線中（赤橙黃綠青藍(lán)紫）紫色以外、肉眼看不見的光線；是電磁波... （來源：技術(shù)文章頻道）

UV LED空凈消殺世輝首爾半導(dǎo)體 2024-10-23 09:55

為刻蝕終點探測進(jìn)行原位測量

為刻蝕終點探測進(jìn)行原位測量

作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja介紹半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來實現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動的影響將變得明顯。刻蝕終點探測用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒有剩余材... （來源：技術(shù)文章頻道）

泛林集團(tuán) 刻蝕終點探測 SEMulator3D 2024-1-12 15:13

半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)

半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)

幫助imec確定使用半大馬士革集成和空氣間隙結(jié)構(gòu)進(jìn)行3nm后段集成的工藝假設(shè) 作者：泛林集團(tuán)Semiverse™ Solution部門半導(dǎo)體工藝與整合工程師Assawer Soussou博士• 隨著芯片制造商向3nm及以下節(jié)點邁進(jìn)，后段模塊處理迎來挑戰(zhàn)• 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)可能有助于縮短電... （來源：技術(shù)文章頻道）

半大馬士革集成空氣間隙結(jié)構(gòu) 2023-12-18 15:36

使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

作者：半導(dǎo)體工藝與整合 (SPI) 資深工程師 Assawer Soussou 博士1. 介紹隨著技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節(jié)點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調(diào)整。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，我們嘗試... （來源：技術(shù)文章頻道）

半大馬士革工藝流程后段器件集成 2023-10-20 11:27

通信工業(yè)和嵌入式光通信技術(shù)進(jìn)步背后的推動力

通信工業(yè)和嵌入式光通信技術(shù)進(jìn)步背后的推動力

作者: Carolyn Mathas隨著工業(yè)和嵌入式計算對通信距離、低功耗和小型配置需求的提高，對通信帶寬也提出了更高的要求。而FPGA等特定使能技術(shù)以及收發(fā)器、連接器和接收器的進(jìn)步也為光通信技術(shù)的快速發(fā)展提供了支持。圖1：帶終端的光纖電纜一般來說，光通信包括一個將信息編碼成光信號的發(fā)射器、一個將... （來源：技術(shù)文章頻道）

通信工業(yè) 嵌入式光通信技術(shù) 2023-9-18 15:05

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

作者：劉松功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有：橫... （來源：技術(shù)文章頻道）

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu) 2023-6-9 10:20

汽車LiDAR GaN的Design Win——高效功率轉(zhuǎn)換引領(lǐng)市場

汽車LiDAR GaN的Design Win——高效功率轉(zhuǎn)換引領(lǐng)市場

作者： Stephen Russell光探測與測距(LiDAR)是一項具有巨大發(fā)展?jié)摿Φ募夹g(shù)。首個概念是在激光發(fā)明后不久的20世紀(jì)60年代提出的，隨后在測量，航空航天和自動駕駛汽車方面的機會真正推動了增長。LiDAR系統(tǒng)的測繪和應(yīng)用范圍各不相同，但它們的工作原理是相同的。他們將激光指向目標(biāo)，并利用激光反射到光源... （來源：技術(shù)文章頻道）

LiDAR 功率轉(zhuǎn)換 GaN 2023-6-7 11:19

引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容

引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容

作者：泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 Sumant Sarkar減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開關(guān)延遲。減少寄生電容的方法之一是設(shè)法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數(shù)，這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實現(xiàn)。這種類型的方式過去已經(jīng)用于后道工序... （來源：技術(shù)文章頻道）

空氣間隙寄生電容 2023-3-24 17:01

使用虛擬實驗設(shè)計預(yù)測先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能

使用虛擬實驗設(shè)計預(yù)測先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能

作者：Coventor（泛林集團(tuán)旗下公司）半導(dǎo)體工藝與整合 (SPI) 高級工程師王青鵬博士負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響，并且它會隨著 FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）器件工藝的持續(xù)微縮變得越來越重要[1-2]。當(dāng)晶圓的局部刻蝕速率取決于現(xiàn)有特征尺寸和局部圖形密度時，就會發(fā)生負(fù)載效應(yīng)... （來源：技術(shù)文章頻道）

FinFET技術(shù)虛擬實驗設(shè)計 2023-1-13 09:51

專為工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計的MOSFET—TOLT封裝

專為工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計的MOSFET—TOLT封裝

近年來，工業(yè)應(yīng)用對MOSFET 的需求越來越高。從機械解決方案和更苛刻的應(yīng)用條件都要求半導(dǎo)體制造商開發(fā)出新的封裝方案和實施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔封裝（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD)，再到最新的無引腳封裝，以及內(nèi)部硅技術(shù)的顯著改進(jìn)，MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展，以更好地滿足工業(yè)... （來源：技術(shù)文章頻道）

MOSFET TOLT封裝工業(yè)應(yīng)用 2022-12-14 11:35

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