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在數字化時代，海量數據的產生已經成為常態，從智能手機到物聯網設備，數據源已經無處不在。傳統的云計算模式雖然強大，但也存在著延遲、帶寬和數據隱私等問題。邊緣智能利用分布式計算，將AI算法和數據處理推向數據源附近的邊緣設備，以實現低延遲、高效率和實時決策，這便是其興起之由來。邊緣智能現... （來源：技術文章頻道）
安森美 邊緣智能 2024-9-19 10:27
ESD 損壞可能是由于電壓過高、電流過大或兩者兼而有之。高電壓可能導致柵極氧化物擊穿，而 I 2 R 過大可能導致結故障和金屬化跡線熔化。隨著制造尺寸不斷縮小（英特爾的 Haswell 采用 22nm 工藝），可能導致 ESD 相關故障的電壓和電流水平也隨之降低。這使得提供哪怕是相對較低水平的片上 ESD 保護也變... （來源：技術文章頻道）
串行總線 ESD 保護 2024-7-31 10:07
Franz Dugand, 無線物聯網業務部，銷售與營銷高級總監, Ceva無線標準有一個明顯的趨勢，即正朝著提供更高的無線性能、更大的帶寬和更低的延遲方向發展。這不僅對于提高基礎網絡傳輸速度很重要，還支持了數量迅速增長的設備通過不同協議連接的需求，以智能家居為例：越來越多的設備需要無縫連接，包括智... （來源：技術文章頻道）
多協議通信系統物聯網 2024-7-8 16:25
作者：半導體工藝與整合 (SPI) 資深工程師 Assawer Soussou 博士1. 介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現具有挑戰性的制造工藝，需要進行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試... （來源：技術文章頻道）
半大馬士革工藝流程 后段器件集成 2023-10-20 11:27
作者：劉松功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有：橫... （來源：技術文章頻道）
功率MOSFET基本結構 2023-6-9 10:20
圖源：H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達到理論、實踐和經濟極限，降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術和晶圓廠制造規程緊密相連。在代工行業，采用先進的工藝節點更能帶來明顯的成本競爭優勢。2020年... （來源：技術文章頻道）
GAA芯片技術CMOS工藝 2022-11-28 10:25
作者：Semi Connect負偏壓溫度不穩定性（NegaTIve Bias Temperature Instability,NBTI）、熱載流子注入（Hot Carrier InjecTIon,HCI）效應、電遷移（ElectromigraTIon,EM）效應、靜電放電（Electrostatic Discharge,ESD）和輻射效應等因素對于集成電路的可靠性有很大影響。可靠性設計就是通過設計... （來源：技術文章頻道）
集成電路可編程邏輯電路 2022-9-22 09:45
負偏壓溫度不穩定性（NegaTIve Bias Temperature Instability,NBTI）、熱載流子注入（Hot Carrier InjecTIon,HCI）效應、電遷移（ElectromigraTIon,EM）效應、靜電放電（Electrostatic Discharge,ESD）和輻射效應等因素對于集成電路的可靠性有很大影響。可靠性設計就是通過設計階段的優化，降低這... （來源：技術文章頻道）
集成電路 可編程邏輯電路 2022-9-8 09:38
FD-SOI工藝的出現及演進，使其成為低功率半導體設計的開創性進步之一。雖然不像主流體 CMOS工藝那樣普遍，但 FD-SOI 為半導體產品設計人員提供了一系列重要的優勢。這些進步與市場對具有更高智能和更好連接性的設備的需求相呼應。構想和開發這些新產品需要整個生態系統的支持。在這個生態系統中，像 Mi... （來源：技術文章頻道）
FD－SOI工藝 i．MX 7ULP平臺 2022-8-9 10:37
作者： Suny Li（李揚） 雖然，所有以指數規律增長的曲線在物理意義上均是不可持續的，摩爾定律正是如此。然而，人們卻一直想方設法地去延續摩爾定律，為什么明知不可為而為之？這其實代表了人類的一種理想主義，這種理想或信念往往讓人類超越自身，創造出意想不到的科技和文明。 或許正... （來源：技術文章頻道）
集成電路技術 芯片 晶體管 2022-2-10 10:37
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