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應(yīng)用開發(fā)

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↓在 技術(shù)文章 中搜索到 574 條關(guān)于“GAN”的信息，用時:0.004 sec.

開關(guān)模式電源開始采用GaN開關(guān)

作者：Frederik Dostal，電源管理專家摘要在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。如今，電源管理設(shè)計工程師常常會問...
開關(guān)模式電源GaN開關(guān) 2025-03-19

大聯(lián)大友尚集團推出基于Diodes產(chǎn)品的140W PD3.1 GaN充電器方案

致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于達爾科技（Diodes）AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充電器方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于Diodes產(chǎn)品的140W PD3.1 GaN充電器方案的展示板圖如今，智能設(shè)備的高功率快充技術(shù)已成為消費者普...
大聯(lián)大友尚集團140W PD3．1 GaN充電器... 2025-03-19

硅基功率開關(guān)已經(jīng)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？

在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。如今，電源管理設(shè)計工程師常常會問道：現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？氮化...
硅基功率開關(guān)GaN開關(guān) 2025-02-28

邁向更綠色的未來：GaN技術(shù)的變革性影響

作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級總監(jiān)校對：宋清亮英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)高級首席工程師過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球...
GaN技術(shù)可再生能源 2024-12-23

無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題

人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器，通過功能越來越強大但尺寸越來越小的適配器，幫助擴大 USB Type-C® 接口的市場規(guī)模。雖然這令人振奮，但與此同時，電源設(shè)計人員必須降低...
無輔助繞組GaN 反激式轉(zhuǎn)換器交流／直流適配器設(shè)計 2024-12-12

想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術(shù)！

作者：George Hempt文章概述本文介紹了寬帶隙（GaN）技術(shù)在高壓LED照明中的應(yīng)用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點討論了利用GaN技術(shù)的LED驅(qū)動器架構(gòu)的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術(shù)提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能...
LED照明GaNGaN晶體管 2024-12-05

面對電動汽車和數(shù)據(jù)中心兩大主力應(yīng)用市場，SiC和GaN該如何發(fā)力？

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。對于GaN而言，與硅相比，它具有優(yōu)異的電子遷移率和更高的擊穿電壓，能在高溫、高電和高頻下工作，其優(yōu)勢主要體現(xiàn)在三個方面：&#...
電動汽車數(shù)據(jù)中心SiCGaN 2024-12-02

如何在設(shè)計中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~

如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三...
GaN器件碳化硅 2024-10-25

通過基于 GaN 的電機系統(tǒng)設(shè)計提高家電能效并節(jié)省成本

當(dāng)今的大型家用電器市場與能源效率和“能源之星”認證等相關(guān)品牌推廣息息相關(guān)。消費者期望這類終端設(shè)備（如冰箱或暖通空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)）具備出色的能效和產(chǎn)品可靠性。在本文中，我們將探討氮化鎵 (GaN) 和無刷直流 (BLDC) 電機系統(tǒng)的結(jié)合如何幫助提高消費者的生活水平。圖 1 所示為注重能效的典型家用...
GaN電機系統(tǒng)設(shè)計德州儀器 2024-08-09

GaN正在加速電機驅(qū)動中的應(yīng)用

無刷直流電機（BLDC）在機器人、電動工具、家電和無人機中的應(yīng)用越來越多。這些應(yīng)用要求設(shè)備具備輕便、小巧、低轉(zhuǎn)矩脈動、低噪音和極高的精度控制。為了滿足這些需求，驅(qū)動電機的逆變器需要以更高頻率運行，同時需要先進的技術(shù)來減少由此產(chǎn)生的更高功率損耗。氮化鎵（GaN）晶體管和集成電路能夠在不顯著...
GaN電機驅(qū)動 2024-07-10

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