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三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。半導體器件是當今迅速發展的各類電力電子設備不可或缺的組成部分，是促進科技發展、社會進... （來源：技術文章頻道）
三菱電機 功率器件 IGBT 2024-7-29 10:13
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅動或電力系統等應用中滿足這些變流器要求。作者：Kazuto Mikami, Kenji Hatori, Victor Tolstopyatov,... （來源：技術文章頻道）
功率密度IGBT模塊 2023-10-24 11:15
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