<code id="4yeo8"></code>
前往首頁 聯系我們 網站地圖
摘要：隨著電力電子應用越發趨于高壓與高功率密度，單個模塊已經無法滿足其需求，功率器件的并聯應用由于其經濟性與可行性成為了解決該矛盾的有效方法。然而，并聯系統的總體布局無法達到完全的對稱，使得理想化的靜、動態電流分布難以實現進而限制了并聯器件的利用率。本文主要分析和比較了驅動電路結... （來源：技術文章頻道）
電壓控制型器件電力電子應用 2023-7-10 10:35
1、IGBT模塊結構IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。 從上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金屬散熱板（... （來源：技術文章頻道）
IGBT模塊IGBT芯片 2023-5-10 11:29
大多數半導體組件結溫的計算過程很多人都知道。通常情況下，外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計算外殼至結點的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝，包括雙極結晶體管(BJT)、MOSFET、二極管及晶閘管。但對多裸片絕緣柵雙極晶體管(IGBT)而言，這種方... （來源：技術文章頻道）
二極管IGBT 2022-11-4 09:17
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到3條【IGBT封裝】相關的技術文章。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博