在功率電子領域,要論如今炙手可熱的器件,SiC要說是第二,就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限,由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能,已經是大勢所趨。與傳統的Si材料相比,SiC具有更寬的禁帶,以及更高的擊穿電場、熱導率和工作溫度,這決定了基于SiC的功率器... (來源:技術文章頻道)
SiC 功率半導體 2023-8-30 16:05