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理解和設(shè)計(jì)模擬電路要求很好地掌握小信號分析方法。小信號分析在模擬電路中用得如此頻繁,以至于我們希望找到一個更快捷的方法完成電路的性能分析。在CMOS模擬電路中,存在一種非常簡單的小信號分析法,我們稱之為直觀分析法。這個方法基于CMOS電路的電路圖而不需要再畫出小信號模型。它將交流變化疊加... (來源:技術(shù)文章頻道)
小信號分析 2024-1-18 11:20
MOS集成電路特點(diǎn):制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單,集成度高、抗干擾能力強(qiáng),特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。PMOS門電路與NMOS電路的原理完全相同,只是... (來源:技術(shù)文章頻道)
場效應(yīng)管MOS管 2023-4-11 10:31
在你看這篇文章之前,我想提出幾點(diǎn)說明:(1)最近在看拉扎維的書,寫下來這些東西,這也只是我個人在學(xué)習(xí)過程中的一點(diǎn)總結(jié),有什么觀點(diǎn)大家可以相互交流;(2)不斷的思考,不斷的理解,不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去!1、CS單管放大電路共源級單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較... (來源:技術(shù)文章頻道)
CS電路MOS管 2022-12-23 09:43
大家都知道理做PCB板就是把設(shè)計(jì)好的原理圖變成一塊實(shí)實(shí)在在的PCB電路板,請別小看這一過程,有很多原理上行得通的東西在工程中卻難以實(shí)現(xiàn),或是別人能實(shí)現(xiàn)的東西另一些人卻實(shí)現(xiàn)不了,因此說做一塊PCB板不難,但要做好一塊PCB板卻不是一件容易的事情。微電子領(lǐng)域的兩大難點(diǎn)在于高頻信號和微弱信號的處理,... (來源:技術(shù)文章頻道)
PCB電路板 2022-11-17 09:43
作者:Coventor(泛林集團(tuán)旗下公司)半導(dǎo)體工藝和集成團(tuán)隊(duì)成員 Michael Hargrove隨著量子計(jì)算的出現(xiàn),對外圍容錯邏輯控制電路的需求達(dá)到了新的高度。在傳統(tǒng)計(jì)算中,信息的單位是“1”或“0”。在量子計(jì)算機(jī)中,信息單位是一個量子比特,可以描繪為“0”、“1”或兩個值的疊加(稱為“疊加態(tài)”)。由于其... (來源:技術(shù)文章頻道)
量子計(jì)算機(jī) CMOS 晶體管 CMOS 器件 2022-9-26 16:22
作者:ADI顧問研究員Doug Mercer,ADI系統(tǒng)應(yīng)用工程師Antoniu Miclaus本實(shí)驗(yàn)活動的目的是檢查硅控整流器(SCR)的結(jié)構(gòu)和操作。SCR主要用于需要(在高電壓下)控制更高功率的器件中。SCR能夠開啟和關(guān)斷大電流,適用于中高壓AC電源控制應(yīng)用里,例如燈光調(diào)節(jié)、穩(wěn)壓器和電機(jī)控制。此外,集成電路中可能無意形成... (來源:技術(shù)文章頻道)
硅控整流器(SCR) ADALM2000 電源開關(guān) 2022-8-31 17:06
本文對單片機(jī)通信性能的分析和評價(jià)方法進(jìn)行研究,指出了物理接口電路分布參數(shù)的分析方法和保證通信系統(tǒng)通信接口控制性能固件正確性的組合選擇法。對單片機(jī)通信性能評價(jià)時(shí),可以使用本文提出單片機(jī)通信性能分析參數(shù)。這些參數(shù)是比特吞吐系數(shù)ξ、數(shù)據(jù)傳輸有效性σ和數(shù)據(jù)識別率η。利用這些參數(shù),可以定量地對... (來源:技術(shù)文章頻道)
單片機(jī) 通信性能 2022-8-30 10:12
5V來自于TTL電平。5為True,0為False,之后用了壓降更低的PN節(jié),衍生出了3.3這個電平。 12V和24V來自于汽車電瓶,早年乘用車又12V和24V兩個系統(tǒng),現(xiàn)在一般小型車12V,商用車24V,再究其由來應(yīng)該是鉛酸電池。所以3.3V和5V一般出現(xiàn)在信號電路或者單片機(jī)等VCC供電,而12V/24V一般出現(xiàn)在低壓動力電,例如主... (來源:技術(shù)文章頻道)
單片機(jī)工作電壓 2022-8-8 09:26
對于模擬CMOS(互補(bǔ)對稱金屬氧化物半導(dǎo)體)而言,兩大主要危害是靜電和過壓(信號電壓超過電源電壓)。了解這兩大危害,用戶便可以有效應(yīng)對。靜電由靜電荷積累(V=q/C=1kV/nC/pF)而形成的靜電電壓帶來的危害可能擊穿柵極與襯底之間起絕緣作用的氧化物(或氮化物)薄層。這項(xiàng)危害在正常工作的電路中是很小... (來源:技術(shù)文章頻道)
CMOS 電源電壓 2022-7-12 09:17
前情提要最近看到一個關(guān)于上下拉電阻的問題,發(fā)現(xiàn)不少人認(rèn)為上下拉電阻能夠增強(qiáng)驅(qū)動能力。隨后跟幾個朋友討論了一下,大家一致認(rèn)為不存在上下拉電阻增強(qiáng)驅(qū)動能力這回事,因?yàn)槌薕C輸出這類特殊結(jié)構(gòu)外,上下拉電阻就是負(fù)載,只會減弱驅(qū)動力。但很多經(jīng)驗(yàn)肯定不是空穴來風(fēng),秉承工程師的鉆研精神,我就試... (來源:技術(shù)文章頻道)
上拉電阻 二極管 2022-5-12 09:51
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