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氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但 GaN 器件在某些方面不如舊的硅技術強固,因此需謹慎應用,集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題,給出一個驅動器方案,解決設計過程的風險。 正文 氮化鎵(GaN... (來源:技術文章頻道)
GaN 器件硅開關驅動電路 2019-11-26 13:59
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