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作者：Jon Gabay內存技術不會停滯不前。內存架構發生變化，更快、更高效的結構被創建并用于連續幾代，例如 DRAM 到 SDRAM 到 DDR 到 DDR1、2、3 等等。然而，記憶進化不僅僅局限于結構改進。存儲單元本身的底層技術一直在改進。特殊工藝和設計針對低功耗、非易失性、安全存儲或其他特殊... （來源：技術文章頻道）
嵌入式MCU內存技術 2022-9-13 09:26
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