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憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器（RRAM）。憶阻器備受關注的重要應用領域包括：非易失存儲（Nonvolatile memory），邏輯運算（... （來源：技術文章頻道）
憶阻器 測試 2022-9-29 14:28
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