前往首頁 聯系我們 網站地圖
Infineon公司的IGT60R190D1S是600V CoolGaN™增強模式氮化鎵(GaN)功率晶體管,它比硅器件具有基本優勢,特別是更高的臨界電場非常適合功率半導體器件,具有杰出動態開關電阻和更小電容,使得GaN HEMT更適合高速開關應用.GaN功率晶體管最重要的特性是反向恢復性能. Infineon公司的CoolGaN™晶體管... (來源:解決方案頻道)
電源管理DC/DC轉換器 CoolGaN Infineon 2022-6-22 16:35
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099