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Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-263 7L表面安裝器件(SMD)封裝,漏極和源極的爬電距離大約為7mm,這樣安全標準很容易滿足.單獨驅動器的源引腳有助于降低柵極回路寄生電感,以避免柵極激振效應.器件最適合用在反激拓撲,12V/0V柵源極電壓和大多數的反激控制器兼... (來源:解決方案頻道)
CoolSiC SiC MOSFET電源管理 功率轉換器 Infineon IMBF170R1K0M1 2022-8-17 13:04
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