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↓在 解決方案 中搜索到 310 條關于“FET”的信息，用時:0.002 sec.

[原創]Power Integrations InnoSwitch3-EP 35W反激電源參考設計DER- 913

Power Integrations公司的InnoSwitch™3-EP是集成了初級開關,同步整流和FluxLink反饋的離線CV/CC QR反激開關器集成電路,極大簡化反激功率轉換器的設計和制造,特是需要高效率和/或緊湊尺寸的轉換器. InnoSwitch3-EP系列集成了初級和次級控制器以及額定安全的反饋在單個芯片上.器件具有多種保護特性...
電源管理AC／DC轉換器Power IntegrationsInnoSwitch3－EP 2022-07-12

[原創]TI MCF8316A無傳感器磁場定向控制(FOC) FET BLDC驅動方案

TI公司的MCF8316A是單片無代碼無傳感器磁場定向控制(FOC) 解決方案,為用戶驅動速度控制的12V到24V無刷DC馬達(BLDC)或永磁同步馬達(PMSM),峰值電流高達8A. MCF8316A集成了三個1/2-H橋,最大絕對值40V和非常低RDS(ON) 95 mΩ(高邊+低邊).功率管理特性包括可調降壓穩壓器和產生3.3V或5.0V電壓軌的LDO,并能用...
馬達驅動BLDC馬達消費類電子TIMCF8316A 2022-02-03

[原創]Silabs Si828x系列(Si8285和Si8286)SiC FET柵極驅動方案

Silabs公司的Si828x系列(Si8285和Si8286)是隔離的大電流柵極驅動器ISODrivers,集成了系統安全性和反饋功能.非常適合驅動碳化硅(SiC) FET,功率MOSFET和IGBT,應用逆變器和馬達控制的各種應用.Si8285和Si8286隔離柵極驅動器采用Silicon Labs公司的專有硅絕緣技術,支持高達5.0 kVrms耐受電壓per UL1577.和其...
電源管理SiC FET柵極驅動器SilabsSi828x 2021-06-25

[原創]SilabsSi828x系列集成DC／DC轉換器SiC FET驅動器解決方案

Silabs公司的Si828x系列(Si8281/82/83/84)組合了隔離大電流柵極驅動器和集成了系統安全性和反饋功能.該系列產品非常適合驅動逆變器和馬達控制應用中所用的碳化硅(SiC) FET,功率MOSFET和IGBT.Si828x系列隔離柵極驅動器采用Silicon Labs公司的專有的硅隔離技術,支持耐受電壓高達5.0 kVrmper UL1577.這種技...
SiCIGBTMOSFET驅動器SilabsSi828x 2021-06-02

[原創]TI LMG3425R050600V 50mΩGaN FET解決方案

TI公司的LMG3422R030是600V 50mΩ GaN-on-Si FET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R050集成的硅驅動器開關速度高達150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供...
電源管理GaN FET太陽能UPSTILMG3425R050600V 2020-12-30

[原創]TI LMG3422R030 600V 30mΩGaN FET應用評估方案

TI公司的LMG3422R030是600V 30mΩGaN-on-SiFET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R030集成的硅驅動器是開關速度高達150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供...
電源管理GaN FET太陽能UPSTILMG3422R030 2020-12-10

[原創]TI TIDM－02008雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC參考設計

TI公司的TIDM-02008是采用C2000™ MCU和LMG341xR070600-V 70-mΩGaN FET的雙向高密度GaN晶體管CCM圖騰柱PFC參考設計.具有交錯3.3kW單相雙向無橋CCM圖騰柱PFC級,100kHz脈寬調制(PWM)開關,可編輸出電壓,380V DC為正常輸出值,峰值效率大于98%,總諧波失真(THD)小于2%,支持powerSUITE™,便于容易設...
電源管理AC／DC轉換器GaN FETTITIDM－02008 2020-10-30

[原創] TI TIDA－010025200－480 VAC驅動的三相逆變器參考設計

TI公司的TIDA-010025是三相逆變器參考設計,具有200-480 VAC驅動器和光仿真輸入柵極驅動器.它是基于光兼容單路隔離柵極驅動器UCC23513,用來驅動IGBT, MOSFET和SiC FET,具有4.5A源和5.3A沉峰值輸出電流以及5.7-KVRMS加強隔離指標.高電源電壓33V可使用雙極電壓有效地驅動IGBT和SiC功率FET.而參考設計TIDA-...
馬達控制逆變器柵極驅動器IGBTMOSFETSiC FET 2019-10-12

[原創] TI LMG1020低邊GaN FET驅動器解決方案

TI公司的LMG102是單個低邊GaN和Si MOSFET驅動器,高達60MHz工作頻率,輸入脈沖寬度１ns,傳輸時延典型值2.5ns,上升和下降時間為400ps,7A峰值源電流和5A峰值沉電流,5V工作電壓,主要用在激光雷達(LiDAR),TOF激光驅動器,面部識別,E類無線充電器,VHF諧振電源轉換器,GaN同步整流器和增強現實(AR).本文介紹了LMG...
電源管理GaN FET驅動器LIDARLMG102 2019-01-04

[原創] TI LMG1210 200VGaN FET電源參考設計TIDA－01634

TI公司的LMG1210是200V半橋高性能氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)驅動器,超高速度可到50MHz,傳輸時延10ns,脈沖寬度≥ 3 ns,高邊和低邊匹配1.5ns,峰值源電流1.5A,主要用在高速DC/DC轉換器,RF包絡跟蹤,D類音頻放大器和E類無線充電.本文介紹了LMG1210主要特性,框圖和應用框圖,以及高速DC/DC轉換器GaN電流級參...
電源管理DC／DC轉換器D類音頻放大器LMG1210 2018-04-23

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