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RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。 如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經被視為負面的&mdash... （來源：解決方案頻道）
GaN功率放大器電源管理PMIC 2023-11-22 10:59
On Semi公司的NVHL160N120SC1是N溝 SiC MOSFET,耐壓1200V,導通電阻160 m SHAPE * MERGEFORMAT ,電流17A.器件具有超低柵極電荷(QG(tot) = 34 nC),低效率輸出電容(Coss = 50 pF),器件取得AEC−Q101資格證書,和RoHS兼容.評估板SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB采用NCV1362準諧振峰值電流初級邊調整(PS... （來源：解決方案頻道）
汽車電子電源管理 HEV SiC On Semi NVHL160N120SC1 2022-3-28 16:19
TI公司的UCC14240-Q1是高隔離電壓DC/DC模塊,給IGBT或SiC柵極驅動器提供電源.高精度輸出電壓提供了更好的通路性能,有更高的系統效率而不會使功率器件柵極出現過應力.模塊集成了變壓器和DC/DC控制器,具有專用架構,以達到高效率和低發射.UCC14240-Q1以高效率提供1.5W(典型)隔離輸出功率,僅需要最少的外接元... （來源：解決方案頻道）
電源管理DC／DC轉換器IGBT／SiC柵極驅動器 TIUCC14240－Q1 2021-11-11 15:12
Silabs公司的Si828x系列(Si8285和Si8286)是隔離的大電流柵極驅動器ISODrivers,集成了系統安全性和反饋功能.非常適合驅動碳化硅(SiC) FET,功率MOSFET和IGBT,應用逆變器和馬達控制的各種應用.Si8285和Si8286隔離柵極驅動器采用Silicon Labs公司的專有硅絕緣技術,支持高達5.0 kVrms耐受電壓per UL1577.和其... （來源：解決方案頻道）
電源管理SiC FET柵極驅動器 SilabsSi828x 2021-6-25 13:37
Silabs公司的Si828x系列(Si8281/82/83/84)組合了隔離大電流柵極驅動器和集成了系統安全性和反饋功能.該系列產品非常適合驅動逆變器和馬達控制應用中所用的碳化硅(SiC) FET,功率MOSFET和IGBT.Si828x系列隔離柵極驅動器采用Silicon Labs公司的專有的硅隔離技術,支持耐受電壓高達5.0 kVrmper UL1577.這種技... （來源：解決方案頻道）
SiCIGBTMOSFET驅動器 SilabsSi828x 2021-6-2 14:53
TI公司的TIDA-010025是三相逆變器參考設計,具有200-480 VAC驅動器和光仿真輸入柵極驅動器.它是基于光兼容單路隔離柵極驅動器UCC23513,用來驅動IGBT, MOSFET和SiC FET,具有4.5A源和5.3A沉峰值輸出電流以及5.7-KVRMS加強隔離指標.高電源電壓33V可使用雙極電壓有效地驅動IGBT和SiC功率FET.而參考設計TIDA-... （來源：解決方案頻道）
馬達控制逆變器柵極驅動器IGBTMOSFETSiC FET 2019-10-12 11:46
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